2种煤液化残渣氧化萃余物中杂原子化合物的鉴定

在40℃恒温水浴下用次氯酸钠对2种煤液化残渣进行氧化,将反应所得混合物用滤膜过滤,滤出液依次用石油醚、二硫化碳、四氯化碳和乙酸乙酯萃取,得到的萃取物用气相色谱/质谱(GC/MS)分析.根据分析结果系统地考察了2种煤液化残渣中所含杂原子化合物的分布,为从煤液化残渣中选择性地脱除这些杂原子化合物及提取高附加值化学品提供了一条路径.     

硼氢化钠还原西佛碱制N,O多齿配体

以含有不同取代基的水杨醛为原料,与乙醇胺反应制得相应的西佛碱中间体,经硼氢化钠还原合成N,O多齿配体L1~L3.配体结构通过1H核磁共振波谱(1H NMR)、红外吸收光谱(IR)和紫外-可见吸收光谱(UV-VIS)进行了表征.结果表明,当配体含有取代基时,其紫外-可见吸收光谱的吸收峰位置发生红移,且吸收强度有所增强.     

蓝光LED 掀起照明的新篇章

夕阳西下,一盏盏发光二极体(light-emitting diode,LED)路灯渐渐亮起;下班后在拥挤的公交车厢里,人们玩着手上的智能手机;繁华的街道上,五光十色的LED招牌炫丽地闪烁着。这些场景对我们来说,也许再平凡不过,但可曾想过,在1990年以前,LED仅用作指示灯。由于1993年一项革命性的发明,使LED领域跨入新的时代,即"蓝光LED"的诞生。赤崎勇、天野浩与中村修二这三位教授致力于     

金属间化合物(Mg,Zn)_(12)Ce与(Mg,Zn)_(11)Ce的研究

对300℃时Mg-Zn-Ce系富镁侧化合物的成分特征、结构和相平衡关系进行了研究.结果表明,Mg-Zn-Ce富镁角存在一个Mg12Ce的二元置换固溶体(Mg,Zn)12Ce,还存在一个三元线性化合物(Mg,Zn)11Ce(τ相).(Mg,Zn)12Ce中Zn的范围为0~7.3%(原子分数),其晶体结构为体心四方晶格.三元线性化合物τ相含Zn为8.5%~43.5%(原子分数),其晶体结构为C底心正交晶格.(Mg,Zn)12Ce和τ相均与α(Mg)存在稳定的两相平衡,且在Mg-Zn-Ce系富镁角还存在三相平衡Mg+(Mg,Zn)12Ce+τ.     

电位滴定法在聚酰亚胺合成中的应用

未完全环化的酰胺酸对聚酰亚胺的性能有重要影响，用电位滴定法可直接测定其含量。对常规的电位滴定装置进行了改进，用VB语言编写了上位机操作软件，实现了滴定控制、数据采集和处理等功能，建立了一套自动电位滴定测试系统，可用于测定二步法合成聚酰亚胺过程中剩余聚酰胺酸的含量。测定结果表明：数据的重现性好、灵敏度高，且操作方便，为进一步开展聚酰亚胺合成及其亚胺化动力学研究提供了可行的途径。     

Novel approach to synthesizing poly（propylene）graft-poly（styrene） （PP-g-PS）

A novel synthetic route used for preparing PP-g-PS was designed. With this synthetic route, a series of graft copolymers with different contents of PS chain were synthesized successfully, and characterized by ^13C-NMR,DSC, GPC.     

铺设土工网格合成材料后的地基承载力设计

土工网格合成材料是近年来发展较快的一种合成材料，以其显著的优点被广泛应用于公路工程软基处理方面。本文利用普朗特尔承载力理论和太沙地基承载理论计算地基承载力，探讨铺设土工网格以后地基承载力的变化。     

N-烯丙基-N''''-(对苯磺酸钠)硫脲的合成及分析应用进展

本文评述了一种新的硫脲试剂N-烯丙基-N'-(对苯磺酸钠)硫脲的合成、性质及其在定性分析、光度分析、电化学分析中的应用进展,展望了今后的研究方向.引用文献20篇.     

基于学习的证券市场专家预测意见合成研究

针对证券市场的专家预测意见的特点，研究了将学习、证据理论与协同学理论引入证券市场专家预测意见合成的理论与方法．讨论了将专家的历史预测数据用基本可信数表示作为学习样本，对初选专家进行聚类分析选择有协同效应的专家．该方法用神经网络优化基本可信数的修正系数，再用Dempster合成规则进行预测意见的合成．实验结果表明该方法应用于解决实际问题时具有较好的效果．     

快速跳频PLL中杂散抑制比的最佳设计值

系统地研究了快速跳频PLL中杂散来源,给出了环路杂散模型,定义了杂散抑制比。定性分析了MF SK FH通信系统检测误码率Pe与杂散抑制比λ之间的关系,并通过计算机辅助分析,定量计算出误码率与杂散抑制比的关系曲线。实验结果表明,MFSK FH通信系统中存在一个杂散抑制比的最佳设计值,约为-50dB,它为快速跳频PLL的优化设计提供了参考依据。