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随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔(TSV)实现层间互连的三维集成电路(3D IC)成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性. 相似文献
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拐弯优化是布线阶段考虑的重要问题之一。该文提出了一种考虑拐弯优化的总体布线算法BDRouter来同时考虑减少布线拐弯数和拐弯密度。这有助于在布线阶段减少通孔并给必要的通孔增加可能的冗余通孔位置,以此来增强可制造性、可靠性和提高成品率。实验测试表明:该文算法与已有典型算法相比,在线长不增加或增加不超过10%的前提下,能够减少约50%的拐弯数,并降低约20%的拐弯数标准差。 相似文献
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以乙烯氧化合成环氧乙烷多重反应体系为背景,根据YS-5环柱形银催化剂本征动力学,对12孔及24孔异形多通孔颗粒建立反应-传质-传热数学模型,通过正交配置法求解了颗粒内部的浓度及温度分布,结果表明,12孔及24孔多通孔颗粒的应用有助于提高反应选择性和转化率,降低粒内温升,同时由模拟计算的数据得到12孔及24孔多通孔颗粒的L-H型主副反应宏观动力学方程。 相似文献
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废弃电路板THD元器件拆除工艺的试验研究 总被引:1,自引:1,他引:0
电子元器件的拆除对于废弃电路板的回收处理具有重要意义,文章针对利用液体加热介质拆除通孔插装元器件的过程,通过均匀设计方法安排试验,利用逐步非线性回归、通径分析和等值线图,研究了拆除过程中加热温度和时间2个最重要的因素,建立拆除工艺模型,分析最优工艺参数。结果表明,在220~260℃温度范围内,拆除THD元器件的最优工艺参数为250℃和48 s。 相似文献
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高强度螺栓是钢结构行业中钢构件连接的一种重要结构形式,也是结构设计人员经常采用的设计手段。本文从分析高强度螺栓的施工特性的基础上,提出一些技术措施,有助于提高通孔率。 相似文献
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通孔金属泡沫中的空气自然对流传热实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
对水平面上通孔铜金属泡沫中的空气自然对流进行了实验研究,研究了金属泡沫孔隙率和孔密度对总传热热阻的影响.研究结果表明:与光表面相比,金属多孔表面有效地强化了自然对流散热,使总热阻至少减小20%左右.金属泡沫传热面积和自然对流流动阻力均受孔隙率和孔密度的影响.在较小的孔隙率(ε=0.9)下,对所研究的两个孔密度(400 m->和1 600 m-1),格拉晓夫数Gr存在一个转折点,当Gr小于该转折点值时,孔密度较大的金属泡沫自然对流热阻较小,而当Gr大于该转折点值时,孔密度较小的金属泡沫热阻较小.在较大孔隙率(ε=0.95)及实验所测的Gr范围内,孔密度较大的金属泡沫热阻一直较小.在所研究的两个典型孔密度(800 m-1和1 600 m-1)下,孔隙率较小的金属泡沫热阻较小,但是在1 600 m-1时,其热阻减小量要明显大于800 m-1时对应的减小量. 相似文献
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随着摩尔定律接近极限,超摩尔定律的2.5D/3D封装登上历史舞台。硅通孔(through silicon via,TSV)是实现多维封装纵向互连的关键技术,也是目前高端电子制造领域的重要代表之一。概述了TSV铜互连的关键技术,包括铜电镀液、电镀工艺和研究方法。认为TSV电镀铜技术难点在于无缺陷填充,而添加剂是实现无缺陷填充的关键组分。归纳了TSV电镀铜的加速剂、抑制剂以及整平剂等多种添加剂,指出随着TSV深宽比的不断提高,对电镀工艺提出了更高的要求。介绍了仿真计算、电化学测试等电镀液添加剂作用机理的研究手段。随着研究手段的不断升级,对添加剂作用机理研究更加深入透彻,确保了高深宽比TSV镀铜的无缺陷填充,进一步促进了先进封装的发展。 相似文献
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Al2O3梯度陶瓷涂层高温抗氧化性能的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
主要研究了Al2O3耐热梯度陶瓷涂层的抗氧化性能并与相应的ZrO2耐热涂层进行了比较。在800℃和1000℃氧化实验结果表明:Al2O3涂层的抗氧化性能优于相应的ZrO2涂层;涂层的孔隙率,尤其是通孔率是影响涂层抗氧化性能的关键因素,此外,梯度涂层的良好过渡也有利于抗氧化性能的提高。 相似文献
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