基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.     

BDRouter:拐弯数密度驱动的总体布线算法

拐弯优化是布线阶段考虑的重要问题之一。该文提出了一种考虑拐弯优化的总体布线算法BDRouter来同时考虑减少布线拐弯数和拐弯密度。这有助于在布线阶段减少通孔并给必要的通孔增加可能的冗余通孔位置,以此来增强可制造性、可靠性和提高成品率。实验测试表明:该文算法与已有典型算法相比,在线长不增加或增加不超过10%的前提下,能够减少约50%的拐弯数,并降低约20%的拐弯数标准差。     

异形多通孔催化剂的工程研究：Ⅳ,异形多通孔颗粒反应—传质—传热耦合过程数学模型

以乙烯氧化合成环氧乙烷多重反应体系为背景，根据YS-5环柱形银催化剂本征动力学，对12孔及24孔异形多通孔颗粒建立反应-传质-传热数学模型，通过正交配置法求解了颗粒内部的浓度及温度分布，结果表明，12孔及24孔多通孔颗粒的应用有助于提高反应选择性和转化率，降低粒内温升，同时由模拟计算的数据得到12孔及24孔多通孔颗粒的L-H型主副反应宏观动力学方程。     

废弃电路板THD元器件拆除工艺的试验研究

电子元器件的拆除对于废弃电路板的回收处理具有重要意义,文章针对利用液体加热介质拆除通孔插装元器件的过程,通过均匀设计方法安排试验,利用逐步非线性回归、通径分析和等值线图,研究了拆除过程中加热温度和时间2个最重要的因素,建立拆除工艺模型,分析最优工艺参数。结果表明,在220~260℃温度范围内,拆除THD元器件的最优工艺参数为250℃和48 s。     

浅析高层或多层钢结构建筑中高强度螺栓通孔率

高强度螺栓是钢结构行业中钢构件连接的一种重要结构形式,也是结构设计人员经常采用的设计手段。本文从分析高强度螺栓的施工特性的基础上,提出一些技术措施,有助于提高通孔率。     

多环芳烃K区和L区理论指数的计算

用K区和L区理论指数预测多环芳烃的致癌活性时,要计算分子的碳定域能(C、L、E)_(min),邻位定域能(O、L、E)和对位定域能(P、L、E)。本文以苯分子为例,对计算方法作了具体介绍。     

2-苯基-咪唑[4,5-f]1,10-邻啡罗啉同系物的合成

以1,10-邻啡罗啉二酮,对位取代苯甲醛为原料来合成2-苯基-咪唑[4,5-f]1,10-邻啡罗啉,对羟基-2-苯基-咪唑[4,5-f]1,10-邻啡罗啉,对二甲胺基-2-苯基-咪唑[4,5-f]1,10-邻啡罗啉,根据所得产物的H^1NMR谱和MS谱图分析,证明得到的即为目标产物。     

水性聚氨酯基对位芳纶纤维增强复合带的制备与性能

在不同的工艺条件下制备水性聚氨酯基对位芳纶纤维增强复合带,并对制备的纤维复合带进行力学性能测试,从而寻求最佳工艺条件.运用Weibull统计方法研究不同工艺条件下制备的芳纶复合带的统计应力和形状参数,用以表征复合带的断裂强度及断裂强度分散性.综合考虑确定当处理温度为180℃,砝码压力为19.6 MPa,走丝速度为0.36 m/min时,制备的复合带性能最佳.     

基于双显微视觉的光刻版位姿定位算法

光刻版工件移动位姿的精确定位及调整是完成其视觉对位的关键。本文针对光刻版工件跨尺度级高精度对位的难点,搭建了双显微视觉对位系统,通过双显微视觉的局部位姿检测,解决了工件尺寸与定位精度之间的矛盾。具体方法为：首先采用双显微视觉获取工件两端局部图像;接着提出改进Canny算法并基于多项式插值的边缘细分完成亚像素级边缘轮廓提取;然后基于RANSAC算法拟合边缘轮廓,获得左右相机图像中“Mark”标志中心点位置坐标及偏转角度;最后通过推导局部位姿间数学关系完成光刻版工件的精确位姿定位。实验结果表明：所设计的视觉算法对于0.5 mm平行线的距离检测精度达1.93 μm、角度提取精度达0.018°;对于光刻版的移动位姿的定位精度达0.64 μm,能满足视觉对位过程中高速高精度的定位需求。