量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响

GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.     

改善a-Si太阳电池界面特性的新方法

本文介绍一种用非晶金属硅化物改善a—Sipin太阳电池TCO/p界面特性的新方法.文章中详细讨论了载流子的传输模型并给出了一系列的实验数据.利用这种方法,用单反应室等离子体CVD装置使a—Si电池的短路电流提高了10%以上,并已获得10.6%的转换效率.     

延长光通信传输距离技术探讨

随着光纤传输技术的不断发展,在传输领域中光传输已占主导地位。光纤存在巨大的频带资源和优异的传输性能,是实现高速、大容量传输的最理想的传输媒质。对光纤传输的要求是传的距离越远越好。从光纤传输距离的计算方法入手,结合影响传输距离的几个因素来分析可以从哪些方面入手来延长光纤通信的传输距离。     

光纤色散与OFDL信号处理

光纤色散对OFDL器件功能的影响并不总能忽略。对OFDL陷波器,在现有器件水平下,由于色散ND只能达到30dB左右,远低于测量系统的限制(>55dB)。利用陷波器,也可以测量光纤色散、该方法具有步骤简便、对器件要求低、精度高等优点。     

波列的群速与相速

对于光波的群速度和相速度，目前通行的文献中基本上都是以两个单色波的迭加来进行讨论，实际上原子的发光是一系列有限长的波列。本文用傅里叶分析的方法讨论了波列的群速度和相速度，并得出了波包作为一个能量载体的稳定性条件。     

系列平行图的边色数

Vizing(1964年）和Gupta（1966年）各自独立地证明了边着色中的重要定理：对任何简单图G,表X′（G）＝△或X′（G）△＋1。但确定一个图G的边色数仍是一个尚未解决的问题。本文利用系列平行图的结构性质，确定了它的边色数。     

波列的群速与相速

对于光波的群速度和相速度,目前通行的文献中基本上都是以两个单色波的迭加来进行讨论,实际上原子的发光是一系列有限长的波列。本文用傅里叶分析的方法讨论了波列的群速度和相速度,并得出了波包作为一个能量载体的稳定性条件。     

宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

光孤子在色散缓变光纤中的传输特性研究

用微扰法和数值法求解了色散缓变光纤中含高阶色散的非线性Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程，从理论上分析了光孤子的舆特性，解析解与数值结果符合甚好。