化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

囊泡的自发形成——两类表面活性剂复配

开展十二烷基磺基甜菜碱(DSB)与双(2-乙基己基)琥珀酸磺酸钠(AOT)复配体系研究, 发现在某些配比下能自发形成囊泡, 并用负染色法TEM、冷冻蚀刻TEM、量热、动态光散射等方法进行表征. NaCl的加入可以促进囊泡的形成, 并得到了分散度小于0.1的单分散的囊泡, 这种现象尚未见有关文献报道. 同时开展该体系囊泡形成过程的量热研究, 发现单分散体系的热效应最大. 最后从表面活性剂分子排列参数、结构、构象和相互作用的角度对囊泡形成的机理进行了探讨.     

含铜蚀刻废液的综合利用—硫酸铜生产工艺研究

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合沉淀铜的方法，生产工业硫酸铜，不用蒸发浓缩，工艺简单，成本低．对影响产品质量和产率的主要因素ｐＨ，化浆用水量和浓硫酸用量进行了探讨，找到了最佳工艺条件，产品质量符合ＧＢ４３７－８０．     

集成微流控芯片

作为一种能够在微米级尺度操纵液体的新兴技术, 微流控芯片已经受到科学家们的广泛关注. 高密度集成的微流控芯片装置可以实现高通量并行化的实验以及多种操作单元的功能一体化, 作为一种新的方法学平台, 已经越来越多地应用于化学和生命科学的研究中. 本文着重介绍了集成化微流控芯片装置的基本概念、构建方法、及其在细胞生物学、分子生物学以及化学合成应用研究中的最新进展, 尤其强调了集成微流控芯片系统在传统方法难以达成或实现的单细胞和高通量的研究中的优势, 展望了集成化微流控芯片在化学以及生命科学中的应用前景.     

高碱度清净剂胶体结构冷冻蚀刻电镜观测研究

本文报导了应用改进的冷冻蚀刻制样方法对某些典型的润滑油清净剂进行的电子显微镜的近期研究结果。研究证实，改进的冷冻蚀刻制样技术可提供一种可资信赖的电镜研究观测手段。对高碱度清净剂胶体结构的研究对于改进我们生产工艺，提高产品质量均将有重要作用。     

准分子激光微细加工

准分子激光对无机和有机材料都有着很好的消融和蚀刻性能 .本文主要描述了准分子激光消融和蚀刻在微细加工方面的应用     

用于测量氡浓度的径迹蚀刻探测装置

文章描述了NRPB用于测量居室和工作场所氡浓度的径迹蚀刻剂量学体系,并考虑了适用于大规模评价吸入室内空气中氡的衰变子体所致危险度的理想氡剂量学体系所应该满足的原则.NRPB现用的径迹蚀刻剂量学体系满足这样理想体系的要求.对筛选测量的原则进行了简要描述.例如,为了弄清某一房间是否存在氡子体的危险水平,而又不需要给出它的长期真实平均值的测量.     

《陕西师范大学学报(自然科学版)》2014年(第42卷)总目次

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Cu 在 FeCl_3 溶液中的蚀刻研究

研究了ＦｅＣｌ３溶液浓度、温度及样品在溶液中的运动速度对Ｃｕ蚀刻速度的影响。在所研究的溶液浓度范围内，蚀刻过程为扩散控制为主的过程；在溶液相对密度为１．２６～１．３２时Ｃｕ的蚀刻速度具有极值。Ｃｕ在ＦｅＣｌ３溶液中蚀刻其表面有ＣｕＣｌ膜的沉积，钝化膜对Ｃｕ的蚀刻有大的影响；蚀刻反应受Ｆｅ３＋通过钝化膜的扩散过程控制。试验拟定了初步的蚀刻工艺。