一维周期和非周期体系的电子带谱及态密度

本文发展了一种重正化群方法,精确而系统地研究包含周期和非周期格子的一维体系的物理性质.该一体系的构造序列是选A、B两块并按膨胀规则{A、B}→{A~(m11)B~(m12),A~(m12)B~(m22)}排列成的.作为特例,计算了(M_(11),M_(12),M_(21),M_(22))=(1,1,1,0)(1,1,1,1)(1,2,1,1)和(2,1,1,1)几种一维格子的电子带谱和态密度,结果表明,较之其他方法,该方法具有系统性,而且分析结果与其他类似。     

宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

夫伦克耳激子的运动

本文从晶格模型出发,同时考虑周期场和电子-声子相互作用对激子能态的影响。夫伦克耳激子在晶格中运动有两种不同方式:在低温区,是能带传递;在高温区,是跳跃过程。     

NaTaO3电子结构的第一性原理研究

在广义梯度近似 (GGA)下 ,利用全电势线性缀加平面波法 (FLAPW)计算了钽酸钠 (NaTaO3)的电子结构 .为了进一步理解原子间的相互作用 ;计算了NaTaO3的态密度、能带结构、电子密度 .通过对态密度的分析 ,发现在钽原子 3d电子和氧原子 2p电子之间存在强烈的轨道杂化 .对电子密度和能带的分析也得出同样的结论 .NaTaO3晶体中有两种电子相互作用 ,一种是钽原子和氧原子之间存在的共价相互作用 ,另一种是钠 (Na)和氧化钽 (TaO3)基团之间的离子相互作用     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

顶电极对金属-绝缘体-金属器件I-V曲线对称性的影响

通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.6的金属作顶电极，并在一定温度下对该器件进行热处理，可以提高其I-V曲线的对称性．     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

光子晶体新型材料的研究

本文介绍了光子晶体的基本概念,分析了光子晶体的结构特征,给出了几种理论分析方法和制备方法,并对这种材料的应用和前景进行了展望。     

Al2O3与SnO2对碲化镉太阳能电池前电极的界面钝化作用

采用磁控溅射法分别生长Al₂O₃和SnO₂,将其作为Mg_xZn_1-xO(MZO)/CdTe薄膜太阳能电池前电极钝化层进行了相关研究.时间分辨光致发光(TRPL)光谱的测试结果显示,MZO/Al₂O₃/CdTe的少子寿命远大于MZO/CdTe的少子寿命,表明Al₂O₃对CdTe太阳能电池具有较好的钝化作用.实验发现,以Al₂O₃为钝化层的电池亮态电流密度-电压曲线出现了严重的"S-kink"现象.通过X射线光电子能谱(XPS)分析不同钝化层电池界面的能带匹配,发现Al₂O₃和CdTe界面较高的导带带阶是造成亮态电流密度-电压曲线出现"S-kink"的主要原因之一. SnO₂和CdTe界面处具有较小的导带带阶,通过控制SnO₂薄膜厚度,可以利用量子尺寸效应调整SnO...