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结晶硅材料的单脉冲和多脉冲激光损伤研究 总被引：1，自引：0，他引：1
对半导体材料硅的单脉冲和多脉冲激光损伤现象进行研究,实验结果表明多脉冲激光辐照的损伤阈值比单脉冲的少,且多脉冲激光损伤阈值是与脉冲重复频率相关的,随脉冲重复频率增大而减少,说明损伤过程中累积效应的存在。根据实验结果和理论计算,我们指出热积累并不是损伤阈值降低的唯一原因,并对可能的损伤机理进行了讨论。 相似文献
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本文提出了测定结晶硅中六个杂质元素的光谱定量分析方法,阐述了整个分析方法的详细过程.分析结果的相对误差为±6.7及—13.3%;回收率为86～106%. 相似文献
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