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1.
采用工业用计算机实现自动下刻电机云母槽测控系统的设计方法.在加工工艺允许的情况下,系统采用接触式的检测方法能降低成本,提高可靠性,并提高其自动化的水平.在软件设计上,系统由找槽控制算法和下刻深度算法双闭环控制组成,槽控制算法与下刻深度算法之间相互切换直到加工完电机的所有槽.  相似文献   
2.
紫外光照射对白菜抗坏血酸含量的影响林贻箴,原永洁,王增兰(山东师范大学生物学系,250014,济南;第一作者57岁,男,副教授)白菜(BrassicaPekinensisR.)在我国北方广为栽培,是主要的食用蔬菜之一,高产耐贮存,含有较多的抗坏血酸(...  相似文献   
3.
羰基硫的光氧化反应研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
以熔凝紫外灯作为光源,利用FT—IR、怀特池、GC—MS、XPS等技术考察了COS与O2混合体系中COS的光氧化反应情况.结果表明,在紫外光照射下,COS能迅速光氧化分解,主要产物有CO2和SO2,光化学反应产生的部分SO2进一步氧化,以SO4^2-的形式大量存在.COS在紫外光光照下的光氧化反应遵循一级反应动力学规律,反应表观速率常数达10^-4~10^-3s^-1.O2的分压对COS光氧化速率有影响,随着氧量的增加,COS光氧化速率的增长逐渐趋于平缓.这为在光的作用下,大气中COS通过光化学反应形成SO2,形成硫酸盐气溶胶提供了实验依据.  相似文献   
4.
掺铅TiO2薄膜的制备及光催化性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶法在玻璃板表面制得均匀的TiO2,并利用浸渍法镀pb2 得到掺铅的TiO2,用紫外漫反射、荧光光谱分析等手段对其进行了表征.研究结果表明,掺杂铅离子使TiO2的荧光峰明显增强,吸收带边发生红移,在紫外光区和可见光区的吸收明显增强.以紫外灯为光源,通过对甲基橙的光催化降解研究,发现掺铅TiO2薄膜的光催化活性明显大于掺Ag,Bi及纯TiO2薄膜,这是提高TiO2光催化活性的有效方法.  相似文献   
5.
应用微波吸收相相敏介电谱技术测量吸附染料J-聚集体的立方体氯化银微晶中光电子的衰减特性,从而研究染料对氯化银微中光电子的影响.研究表明:在紫外光照射吸附机染料J-聚集体的氯化银时,染料能够加快光电子的衰减;光电子的变化规律与吸附染料浓度有关;说明染料增加了氯化银微晶中的隙间银离子浓度.可见光照射吸附有机染料的氯化银时,染料能够将染料激发态的光电子转移到氯化银中;显著地增加了氯化银微晶中的光电子强度;染料起到了敏化氯化银的作用.  相似文献   
6.
介绍了以钛酸丁酯为主要原料的溶胶~凝胶法(Sol-Gel)制备TiO2光催化剂的过程,提出了较为理想的制备方法。探讨了工艺条件对催化降解效果的影响。结果表明,蜂窝陶瓷表面浸涂5层TiO2催化膜,经500℃焙烧,具有良好的光催化活性;H2O2、Fe“、光照时间、TiO2催化膜层数对邻氯苯酚去除率有不同程度的影响。  相似文献   
7.
颜料对紫外光固化涂料固化速率的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究红、黄、蓝3种颜料对紫外光固化涂料固化速率的影响,并探讨其机理,实验结果表明,颜料对固化速率的影响极大,加入少量的颜料即可使固化速率大大降低,不同颜料对固化速率的影响相差很大。  相似文献   
8.
UV/O3氧化邻苯二甲酸二甲酯溶液研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
邻苯二甲酸二甲酯为环境优先控制污染物。本文采用紫外光—臭氧氧化法、单纯紫外光照及单纯臭氧氧化法处理邻苯二甲酸二甲酯废水。结果表明:单独紫外光照及单独臭氧化对邻苯二甲酸二酯防溶液的TOC去除率很低,紫外光催化臭氧化可加速有机物的矿化。UV/O3较单独臭氧化TOC由单独臭氧化的33%可提高到100%。在同样时间条件下,UV/O3、单独O3、单独UV三者对邻苯二甲酸二甲酯矿化作用由大至小为:UV/O3、O3、UV。  相似文献   
9.
超声波处理有机废水的新进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
通过对有机废水的综合分析,介绍了超声波降解有机废水的作用原理和影响因素,比较了采用超声波单独处理法和超声波与催化剂、紫外光、电化学等联用法的不同及其各方法的应用现状,指出了超声波在处理有机废水中的研究机理和领域上潜在的发展空间。  相似文献   
10.
GaN基MSM结构紫外光探测器   总被引:2,自引:0,他引:2  
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层, 以此为材料, 制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器. 测量了该紫外光探测器的暗电流和360 nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线. 该紫外光探测器在5 V偏压时暗电流为1.03 nA, 在10 V偏压时暗电流为15.3 nA. 在15 V偏压下该紫外光探测器在366 nm波长处的响应度达到0.166 A/W, 在365 nm波长左右有陡峭的截止边. 从0~15 V, 该紫外光探测器在360 nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大. 详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系.  相似文献   
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