用于中子发生器加速极电源的高频变压器设计

根据中子发生器加速极电源功率要求,通过AP(Area Product)法对加速极电源中的关键部件高频变压器进行设计.在推挽前级逆变电路中,增加去磁回路抑制变压器偏磁问题,采用分段分组绕制法减小分布电容.同时,测量和比较了不同频率下,变压器原、副边电压实验波形.结果表明:高频变压器的转换效率随频率升高而增大,当工作频率为20 kHz时,输出效率达到84％,满足了中子发生器加速极电源的要求.     

大尺寸单晶金刚石同质连接技术

介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。     

同步设计方法在CPLD中的应用研究

同步设计和异步设计是时序电路设计中的两种基本类型。通过在CPLD器件中同步设计方法和异步设计方法的应用对比,可知同步设计方法所得电路的工作频率较高且电路中不易产生竞争-冒险现象,因此在复杂可编程逻辑器件的设计中采用同步设计方法是保证电路高效、可靠工作的有效措施。     

ICP-AES光谱仪的研制及其分析软件的设计

目前,市场上的ICP光谱仪仍以国外仪器为主,国内仪器的开发与研制始终未能有所突破,在仪器分析软件上仍属空白,这极大限制了国内ICP光谱仪的发展.本文主要针对单道顺序扫描型ICP-AES光谱仪的硬件及分析软件的开发提供了思路.     

反应气压对生长金刚石膜的影响

实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响.     

大尺寸充气体黑洞中激光等离子体相互作用

本文是根据Ｒ．Ｅ特内、Ｒ．Ｌ考夫曼等人之作编译而成。大尺寸充气体黑洞具有类似于国家点火装置（ＮＩＦ），所预期的等离子体条件，可用来测量受激布里渊散射（ＳＢＳ）。上述等离子体是热的（３ｋｅＶ），电子密度高，处于似稳态，而在大于２ｍｍ长度上是均匀的。另外，还介绍了类似的ＮＩＦ照射条件，低ＳＢＳ背光的观测。     

环形光纤延迟线高速脉冲串发生器的理论分析与设计原则

本文对用环形光纤延迟线产生高速光脉冲串的方法进行了理论分析,制定了一整套有关参数的计算和测试方法,并提出了整个系统的设计原则.     

“绿色建筑”现实可能性初探

本文从“绿色建筑”本身之内涵出发着重分析了其自身内在之矛盾性以及它在现实中的实际境遇极其根源,并对其最终的定位提出了建设性意见。     

相对论带电粒子经典多体问题

为建立相对论经典等离子体统计力学作准备，讨论了相对论带电粒子经典多体问题，重点分析相对论流线分布函数和动力学方程组。