临界等温线的推算──几个立方型状态方程的比较

对ＰＴ方程等几个立方型状态方程描述氩的临界等温线的能力作比较研究。在临界压力以下区域．ＰＴ方程、ＨＳ－ＳＲＫ方程和ＳＲＫ方程推算精度较好，ＡＡＤ＜０．４％。在临界压力以上区域，所讨论的五个方程都不能提供具有合理精度的描述。     

氮化硼的生产方法

氮化硼的生产方法郑州大学王运峰，林静春近年来由于新的超硬材料立方氮化硼的合成，原来作为陶瓷材料、高频绝缘材料、耐高温材料等的六方氮化硼又有了新的用途，即作为合成立方氮化硼的原料。而传统工艺生产的六方氮化硼，其氮化硼的含量即使达到９８％以上，有的也合成...     

脉冲等离子体气相合成氮化硼的研究

以Ｂ２Ｏ３粉扩ＮＨ３为原料，用脉冲等离子体反应器合成ＢＮ，所得产品经Ｘ射线衍射，红外光谱分析表明，产品中除含六方氮化硼外，还含有少量立方氮化硼，生产工艺简单。     

常用低指数晶面标准极射图绘制及应用

在详细阐述晶面(晶向)标准极射赤面投影原理及其完整投影图绘制过程的基础上，绘制了立方晶系常用的低指数晶面(晶向)标准极射赤面投影示图；应用“滑移三角块”扼要阐释了滑移系确定与优先滑移、复滑移、双滑移及晶体在滑移过程中的转动行为．     

密排晶格结构的计算机辅助教学

根据两种密排晶格结构的特点,在计算机辅助教学中采用三维动画的形式模拟原子球的动态堆积,解决了传统教学方式在固体物理学中遇到的困难.     

Kriging插值与拉丁超立方试验相结合构造电路元模型

电路系统的设计与优化常常需要参数与指标问简单、直接的模型，即电路的元模型。本文将Kriging插值和拉丁超立方抽样试验相结合构造了低功耗集成运算放大器的元模型。对于这种输出结果为确定值的电路仿真试验，与基于传统部分要因试验设计的多项式回归模型相比，Kriging模型具有更高的预测能力。     

Armchir型氮化硼纳米管的Kekule结构计数

介绍了带半-B12N12帽的armchair型单壁氮化硼纳米管(BN-SWNT),并对其Kekule结构的个数进行了计算.通过使用定位配置技术和特殊的编码方法,建立了关于Kekule计数K的递推公式.数值计算结果表明,与zigzag型类似,armchair型氮化硼纳米管的Kekule计数也随着管子中间层数的增加呈指数增长.     

射频溅射两步法制备立方氮化硼（c—BN）薄膜

用常规射频(RF)溅射系统，采用两步法在Si(111)衬底上制备出较高粘附性的立方氮化硼(c—BN)薄膜。沉积过程分为成核(第一步)和生长(第二步)两步，当由第一步变为第二步时，工作气体由Ar气变为Ar和N2的混合气体，衬底温度和偏压也降为较低的值。对不同生长阶段的薄膜进行了SEM、FTIR分析，对最后沉积的薄膜进行了XPS分析。结果表明：采用两步法在Si(111)衬底上沉积的c—BN薄膜内应力较之常规方法减小约11．3GPa，薄膜的B、N原子之比为1．01，c—BN的体积分数为88％，薄膜置于自然环境中6个月尚未有剥离现象。文中还讨论了c—BN薄膜的综合生长机制。     

基于径向基函数神经网络模型的车门结构多目标优化

建立了某轿车车门的有限元模型,利用灵敏度分析筛选出对模态和刚度性能比较敏感的关键钣件厚度作为设计变量,采用拉丁超立方试验设计进行样本设计,使用径向基函数(RBF)神经网络模型拟合车门质量、垂向刚度、侧向刚度及一阶模态频率响应的近似模型.以车门质量最小和侧向刚度最大为目标,以车门垂向刚度和一阶模态频率为约束,应用多目标遗...