PCBN刀具及其在切削加工中的应用

介绍了PCBN刀具材料的物理性能和切削性能，阐述了PCBN刀具在不同切削领域应用的特点．并对其关键技术进行了探讨     

铝合金加工用刀具的使用研究（三）

当前我国各机械加工生产厂家引进国外进口设备及生产线较多，实现引进设备及生产线上刀具的国产化以降低生产成本，成为当前国内整个机械加工领域亟待解决的问题。     

临界等温线的推算──几个立方型状态方程的比较

对ＰＴ方程等几个立方型状态方程描述氩的临界等温线的能力作比较研究。在临界压力以下区域．ＰＴ方程、ＨＳ－ＳＲＫ方程和ＳＲＫ方程推算精度较好，ＡＡＤ＜０．４％。在临界压力以上区域，所讨论的五个方程都不能提供具有合理精度的描述。     

氮化硼的生产方法

氮化硼的生产方法郑州大学王运峰，林静春近年来由于新的超硬材料立方氮化硼的合成，原来作为陶瓷材料、高频绝缘材料、耐高温材料等的六方氮化硼又有了新的用途，即作为合成立方氮化硼的原料。而传统工艺生产的六方氮化硼，其氮化硼的含量即使达到９８％以上，有的也合成...     

脉冲等离子体气相合成氮化硼的研究

以Ｂ２Ｏ３粉扩ＮＨ３为原料，用脉冲等离子体反应器合成ＢＮ，所得产品经Ｘ射线衍射，红外光谱分析表明，产品中除含六方氮化硼外，还含有少量立方氮化硼，生产工艺简单。     

常用低指数晶面标准极射图绘制及应用

在详细阐述晶面(晶向)标准极射赤面投影原理及其完整投影图绘制过程的基础上，绘制了立方晶系常用的低指数晶面(晶向)标准极射赤面投影示图；应用“滑移三角块”扼要阐释了滑移系确定与优先滑移、复滑移、双滑移及晶体在滑移过程中的转动行为．     

氮化硼先驱体的合成与研究

以三氯化硼，三乙胺为原料，在氮气保护气下，经低温反应合成了配位键化合物Et3NBCl3，再与（Me3Si2)NH反应，得到了中间产物（Me2Si)2NBC2和（Me2Si)2NB(Cl)NHSiMe3，进而通过热缩合成环和高分 子化后，获得了具有B、N六元环结构的BN先驱体，合成的BN先驱体，软化点为40－50℃左右，且热处理后软化点的温度可提高至60－70℃左右，可纺性能良好，获得的淡黄色，半透明且表面光滑的先驱体丝，在氮气中热分解至1500℃，获得了含有不量Si3N4和SiC的BN粉体，陶瓷转化率为38％。     

4，4，7，7－四硝基－D_3－三高立方烷的合成

从Ｄ３－三高立方烷－４，７－二酮出发，得到４，７－二硝基－Ｄ３－三高立方烷，通过控制反应时间，可将所得产物进一步分别氧化硝化为４，４，７－三硝基－Ｄ３－三高立方烷和目标化合物４，４，７，７－四硝基－Ｄ３－三高立方烷．     

A位La和Dy替代Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷结构及介电性能的研究

研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.