PCBN刀具及其在切削加工中的应用

介绍了PCBN刀具材料的物理性能和切削性能，阐述了PCBN刀具在不同切削领域应用的特点．并对其关键技术进行了探讨     

临界等温线的推算──几个立方型状态方程的比较

对ＰＴ方程等几个立方型状态方程描述氩的临界等温线的能力作比较研究。在临界压力以下区域．ＰＴ方程、ＨＳ－ＳＲＫ方程和ＳＲＫ方程推算精度较好，ＡＡＤ＜０．４％。在临界压力以上区域，所讨论的五个方程都不能提供具有合理精度的描述。     

氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

基于 CFX软件的氮化硅反应炉内热过程的数值模拟

利用大型商业软件CFX建立了高温氮化硅反应炉内温度场的数学模型,采用拟流体模型数值模拟炉内的层流流动,分析了氮气体积流量、各向异性散射和辐射特性等因素对温度场和产物质量浓度的影响.计算结果表明,为确保反应充分完全,预热段温度控制显得非常重要,而氮气体积流量起着决定性的作用;各向异性散射对径向温度、产物质量浓度有一定的影响;散射率对温度场影响很小;计算值与实验值相比较,误差在10%之内.     

常用低指数晶面标准极射图绘制及应用

在详细阐述晶面(晶向)标准极射赤面投影原理及其完整投影图绘制过程的基础上，绘制了立方晶系常用的低指数晶面(晶向)标准极射赤面投影示图；应用“滑移三角块”扼要阐释了滑移系确定与优先滑移、复滑移、双滑移及晶体在滑移过程中的转动行为．     

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜，反应气体为氨气和硅烷。这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火。对太阳电池而言，氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用。利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性。实验发现随着退火温度的增加，氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加，可以归因于在退火过程中，薄膜愈加致密。红外吸收谱的研究发现，氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降，而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化。这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关。     

氮化硅陶瓷表面的融盐热还原反应法锆金属化的研究

以Al粉、K2ZrF6为原料，在KCl LiCl的融盐介质中，利用高温融盐热还原法在氮化硅陶瓷基体表面镀锆金属化膜；以XRD分析镀膜物相成分，并用SEM对试样表面、断面进行显微结构分析。结果表明：氮化硅陶瓷镀件表面镀膜外观呈银白色，并有有金属光泽；镀膜物质成分为Zr5Si3；镀层中无铝元素存在。     

蒸馏水润滑下Si3N4—白口铸铁摩擦面上表面膜的分析

在环－块磨损试验机上考察了蒸馏水润滑下Ｓｉ３Ｎ４分别与白口铸铁和碳钢（作对比用）配副的摩擦磨损特性．在ＳＥＭ下观察了白口铸铁磨面表面膜的形成过程，用ＸＰＳ、ＦＴＩＲ和ＸＲＤ分析了表面膜的成分、组成与结构，并对其形成机理进行了探讨．结果表明，Ｓｉ３Ｎ４在水润滑下摩擦时磨面上发生了氧化和水解反应：当Ｓｉ３Ｎ４与白口铸铁配副时，由于铸铁中碳化物的剥落而形成剥落坑，Ｓｉ３Ｎ４磨屑嵌入剥落坑并氧化和水解，其反应产物富集于剥落坑中，脱水聚合后形成硅胶，从而在磨面形成具有一定厚度和面积的含硅胶的表面膜，表面膜的形成保护了陶瓷和铸铁磨面，使其变得很光滑，从而使摩擦系数降至０．０２，并使系统磨损率几乎接近于零；当Ｓｉ３Ｎ４与碳纲配副时，由于碳钢没有能力富集Ｓｉ３Ｎ４的氧化和水解产物，故磨面不能形成有效的表面膜，所以其摩擦系数仍然较高，且系统磨损率亦较大     

4，4，7，7－四硝基－D_3－三高立方烷的合成

从Ｄ３－三高立方烷－４，７－二酮出发，得到４，７－二硝基－Ｄ３－三高立方烷，通过控制反应时间，可将所得产物进一步分别氧化硝化为４，４，７－三硝基－Ｄ３－三高立方烷和目标化合物４，４，７，７－四硝基－Ｄ３－三高立方烷．