功率VDMOSFET外延层参数的优化选择

本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法,可使VDMOSFET的比导通电阻达到最小值。     

穿通型pn结二极管的击穿电压

提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法，在大量数值计算基础上，获得了有效率电离率系数随硅单边穿变结轻掺杂区材料导电类型和电阻率变化的经验公式，把这种解析方法与有效电离率参变量相结合所得结果大电压范围内与数值计算结果符合得相当好。     

穿通型光电晶体管的直流特性测试

在ｎＷ－μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数，光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３－１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光增益７１１３，４０－５０ｎＷ光功率时光电增为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。     

穿通型高增益AIGaAs/GaAs光电倍增管

根据理论分析,在中低速率情况下,异质结光电晶体管HPT的输出噪声电流可用公式     

新结构多晶硅发射极光电晶体管

报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光晶体管，用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增提高了２倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度，已研制成的这种新型结构的光电晶体管在１０Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，０．１７４μＷ的光增益达到了３８３。     

高压低饱和压降GTR最佳设计

本文提出了高压低饱和压降ＧＴＲ的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。并论证了穿通因子（Ｎ＝Ｗｅ／Ｘｍ）的最佳值为０．７左右。在此范围内，在保证高击穿电压的条件下，可使他和压降ＵＣＥＲ较低，发射极面积Ａｅ最小，大注入下的电流增益大。     

临床护理路径在眼球穿通伤患者围手术期护理中的应用

目的:探讨临床护理路径在眼球穿通伤患者围手术期护理中应用的效果。方法:将128例眼球穿通伤患者随机分为观察组和对照组,各64例,对照组按常规健康教育方式进行,即责任护士在患者入院后的1～5 d内完成疾病知识及治疗护理方案的讲解、并发症预防、饮食指导、药物知识、自我护理方法、康复知识等教育;观察组由培训过的责任护士按临床路径表有计划地从入院到出院,根据患者实际情况给予全程、个体化、针对性、恰当的健康宣教并做好记录。观察2组焦虑及抑郁的水平,对健康知识的掌握情况以及对护理的满意度。结果:与对照组相比,观察组焦虑和抑郁状况减轻,患者对健康知识的掌握程度以及护理满意度明显提高。结论:全程、个体化、针对性、恰当地对患者进行宣教,提高了患者对疾病的认识,通过信息的交流与沟通,消除或减轻患者的焦虑、恐惧心理,增强了患者的安全感及对医护人员的信任感,促进了护患关系,提高了教育效果及对医护人员的满意度,因而提高了医疗护理质量。