利用反预报方法从截面预言近滴线丰质子核的结合能

在Origin等数据处理软件中,当实验数据较少时,自由参数的不同初始化设置会导致较大的结果差异,这为物理结果的确定带来较大不确定性.通过最小二乘法分析了345MeV/u ~(78) Kr+~9Be反应中产生的丰质子同位素的截面和结合能,并得到线性回归方程.通过回归方程,利用结合能预报部分丰质子核素的截面,以及通过实验截面对近质子滴线核素的结合能进行反预报测量.这对于近质子滴线的丰质子核素实验测量具有较好的借鉴意义.     

统一框架下对超核Λ^5He，Λ^9Be，Λ^6ΛHe和Λ^10ΛBe基态结合能的研究

用α集团模型和少体理论方法研究了超核Λ^5He，Λ^9Be，Λ^6ΛHe和Λ^10ΛBe的基态结合能．所采用的α—α势符合低能Q—α散射实验及^8Be的基态共振能量，Λ—α势是用Λ-N势及α粒子密度分布函数拟合Λ^5He的基态结合能的实验值得到的，Λ—Λ势是通过拟合Λ^6ΛHe基态结合能的实验值而得到的．用一组α—α势，Λ—α势和Λ-Λ势统一描述这4个超核的基态结合能并得到了合理的结果．     

一维单原子链空位的一种新统计方法

视一维单原子链中原子为谐振子，运用玻尔兹曼分布给出了空位的一种新统计方法．     

YN相互作用和轻超核∧^5He结合能的计算

在手征SU(3)夸克模型基础上，用共振群方法，给出∧N相互作用的非定域位，并用于轻超核∧^5He的结合能的计算，得到了与实验和其他方法相近的结果．     

InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能

利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，研究了InxGa1-xN／GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律．结果表明，随着量子点高度L和半径R的增加，结合能降低，随着量子点中In含量的增加，激子的结合能增大．对给定体积的量子点，激子结合能存在一最大值，此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内．对不同体积的量子点，最大值的位置在量子点高度L=1．7nm附近取得.     

硅表面双聚体空位附近原子沉积的理论研究

采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为，根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图，确定了沉积束缚点和一些鞍点，并研究其可能的扩散路径。     

深冷处理对Cu-15Ni-8Sn合金电性能的影响

采用正电子湮没试验方法测定了Cu 15Ni 8Sn合金在经过不同深冷处理工艺后点缺陷(空位)的浓度变化,并用双臂直流电桥测定了电阻率的变化.研究表明,深冷处理能够减小合金中的空位浓度,降低电阻率,提高合金的导电性.此外,试验表明该弹性导电合金的最佳深冷处理工艺为深冷60min.     

Fe-Mn-Si基形状记忆合金中FCC相的电子结构与稳定性

利用基于第一原理的离散变分法研究了Fe-Mn-Si合金的电子结构与FCC相稳定性的关系. Si元素使Fe原子的d带空穴数减少, 而Mn的影响较复杂. 以此为基础, 从电子浓度的角度解释了这两种元素对合金层错能的影响, 并结合对合金结合能的计算结果—— Si降低合金的结合能而Mn的作用相反, 阐述了Mn降低而Si升高马氏体相变温度的物理原因. 在不同方向上施加应力时, 合金的电子结构发生变化, Fermi能级处的总态密度有明显提高. 从Fermi能级附近的能谱变化可看出, 应变使能隙减小, 能级的简并性提高. 在同一方向上施以不同的应变, 中心原子的3d和4s轨道上的电子数减少, 3d局域态密度变窄, 且峰值增加. 对比电子密度的变化, 在应力方向上的成键轨道有减弱的趋势, 而在垂直于应力的方向上出现增强, 导致FCC结构的稳定性降低. 这是外场(应力)作用下合金的马氏体相变温度提高的重要原因.     

钇稳定的二氧化锆(YSZ)的导电性能分析

从钇稳定的二氧化锆(YSZ)晶体结构中可能存在的氧空位跃迁类型,分析了钇稳定的二氧化锆(YSZ)的导电率随着钇掺入量增加有一个最大值的原因。     

Ni3Al中空位团对周围原子排列与位移阈能的影响

反应堆材料是在强辐照条件下工作的.由于核反应堆安全性和可靠性的要求,人们做了大量的工作来研究辐照损伤对材料的结沟与性能的影响,由于从实验上跟踪缺陷生成的过程与微观机制非常困难,目前这方面的很多结果是通过计算机模拟结合一些纯理论工作得出的.其中不少工作是通过计算材料中原子的位移阈能(Displacement threshold energy,E_d)来研究材料的辐照损伤效应.快速运动的原子,能够导致产生稳定的Frenkel缺陷对,该原子所具有的最小的动能就是它的位移阈能,E_d是表证材料中辐照损伤效应的重要参数.