InGaAs/InP半导体激光器自锁模特性的研究

Ｓｐｅｎｃｅ[1]在掺钛蓝宝石激光中实现了自锁模,它的诞生,使超短脉冲激光进入了新阶段.近年来,Ｃｒ4 :ＹＡＧ,Ｃｒ:ＬｉＳｒＬＦ6等固体材料也实现了激光的自锁模运转。无论是以ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＰ量子阱材料[2,3]或ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＰ体材料为激活介质,在外腔工作条件下,采用锁模Ｎｄ:ＹＡＧ(1.3μｍ)激光同步泵浦,都曾获得高功率窄脉冲运转,这里介绍一种ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＰ体材料在连续的Ｎｄ:ＹＡＧ激光泵浦下,采用外腔结构实现自锁模运转的实验结果,我们所使用的实验装置结构是如图1(ｂ)所示的外腔面发射ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＰ半导体…     

非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.     

硫酸蚀刻溶液中InP半导体之薄膜生长

利用X一射线衍射技术研究了InP半导体在H2SO4/H2O蚀刻溶液中之薄膜生长,分析P型InP（100）在酸性蚀刻溶液中表面氧化物的化学组成．实验中．一台12kW的铜旋转阳极x射线源用于保证高敏感度的表面型态分析．利用广角度衍射（WAD）,从一个基体氧化物的晶格组界面检测衍射线来分析蚀刻溶液H2SO4/H2O每个衍射线出现可能引起的反应物表面层反射光束的干涉图案,生成物为具有单晶结构的磷酸铟水合物（InP04-xH20）．观察到一组（nh,nk,n1）的广角度衍射中磷酸铟水舍物（InPO4·xH2O）相的反射峰,并且侦测到在每个反射光束的干扰振荡现象．利用感应电浆耦合离子发射光谱法测定溶液中的铟（In）和磷（P）成分,分析InP在不同浓度的H2S04／1-120溶液中的溶解速率．观察发现,在InP的氧化表面上存在混合成份的氧化物和单一成份生成物．借着ICP仪器分析测试在照光或暗室下,InP在H2SO4/H2O系统的溶解率差异几乎是不可分辨的．藉由X射线结果对比JCPDS卡标准化合物中的数据．可获得酸性溶液蚀刻反应中各种表面氧化物的结构特点和反应现象．     

InP基UTC-PD的理论分析与模拟

首先采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光电探测器(UTC-PD)的光电流响应. 利用器件仿真器ATLAS建立了UTC-PD的器件模型, 并对优化设计的InP/InGaAs PD的能带结构和性能参数作了二维模拟. 模拟结果表明, 光敏面为14 ?μm×1 μm、反偏电压为2 V时, 光电流响应的线性动态范围达60 mW, 响应度和?3 dB带宽分别为0.16 A/W和40 GHz. 当输入光脉冲宽度为10 ps时, 光电流响应的峰值达1.3 mA, 半峰全宽(FWHM)为28 ps.     

Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications

During the past several years, the research and development of InP material has made great progress due to serving as the substrate for most optoelectronic devices operating at the communications wavelength of 1.31 and 1.55 μm. At present, InP has become an important semiconductor material together with Si and GaAs. When compared to GaAs, InP has higher electron velocity, higher radiation hardness and better heat-conducting property. The advantage of InP crystal material allows higher frequency operation and lower power requirements. Therefore, InP is widely being used for the manufacture of microwave devices, high-frequency devices and optoelectronic integrated circuits (OEICs) which are indispensable for wireless technology, satellite communications^[1—3]. Although n-type and p-type InP can meet actual needs, semi-insulating InP substrates remain to be improved due to their poor uniformity and consistency. For this reason, several possible approaches have been reported to the preparation of SI InP by wafer annealing under different conditions^[4—9].     

InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点

报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV     

非水体系水热法制备纳米磷化铟

纳米半导体随其粒径减小,量子尺寸效应逐渐增强,呈现出与块材显著不同的特性,因而具有广泛的应用前景。其中,Ⅲ～Ⅴ族纳米半导体如InP的制备和应用尤其引起人们的兴趣。但传统的固相反应法由于制备温度高,很难制得纳米晶体材料。近年来,已有一些新的方法制备纳米级InP。如Douglas和Theopold从[Cp*(Cl)InP(SiMe_3)_2I_2的醇解反应中得到纳米InP,Nzik等利用InCl_3的草酸盐配合物与P(SiMe_3)_3反应制得平均粒径为2.3nm的InP。但这些方法中使用的反应物都剧毒,对空气极其敏感,而且很难合成。     

MOCVD生长的InP外延层的输运及发光特性

使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。