碳钢膏剂无孔渗硅工艺的研究

本研究用膏剂法进行无孔渗硅研究,透射电镜、电子探针和M351腐蚀仪分析证实:获得了致密、无孔隙、具有良好耐磨性和耐腐蚀性的渗硅层,并分析了渗硅层形成机理及表层疏松层以及内部孔隙成因。     

ZnWo4：Cr^3＋的吸收光谱研究

本文通过对ZnWo4:Cr^3 晶体的光学吸收谱的观测资料^[1]的分析，假定Cr^3 杂质的有效晶场的八面体结构的变形后的D4晶场。采用Oh点群表象准对角型简化强场方案，导出了d^3-D4强场能量矩阵。首次计算了ZnWo4:Cr^3 的自旋允许谱精细结构。理论计算结果与实验吻合较好。     

对电工学中几个问题的辩析

本文主要计论关于复导钠的确切定义,在任意形热闹法的互相电路中互相负载不对称时V_(0‘0)≠0,及不对称三相电路中点漂移的消除问题提出质疑。     

用图解法分析直接耦合放大电路

本文讨论了直接耦合放大电路的图解分析法，使各级工作点之间互相牵扯的直接耦合放大电路做进一步定量分析，得以用较直观而又简便的图解法．它的分析方法也和阻容耦合放大器一样，是以器件的特性曲线为基础，用作图的方法在器件特性曲线上分析放大电路的工作情况．它的特点是能直接反映器件的非线性，进而适用于大信号的分析．     

用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布

半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高     

双金属氧化物和氧化物载体组分间的相互作用

讨论了一些过渡金属氧化物（NiO,CuO或MoO3)在经改性所得复合载体（TiO2-γ-Al2O3，MoO3-t-ZrO2或NiO-t-ZrO2)上的分散作用，这些三地体系中实验测定的氧化物分散容量与研究负载型二元氧化物体系所得嵌入模型的估算值基本相符；样品的表面组成、结构和性能与载体的表面结构、过渡金属氧化物的负载量和加料顺序以及焙烧温度密切相关。     

单标准光度法快速测定钢中硅

单标准光度法快速测定钢中硅邹亚联，张胜义（合肥轴承厂化验室２３００３３）（安徽大学化学系合肥２３００３９）硅是钢中重要的合金元素之一。对于硅的分析方法，常见的有重量法和容量法［＇］，电化学分析法［２］，荧光光谱法＊１，原子发射光谱法［＇＇，原子吸收光...