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于之东 《河北理工学院学报》1999,21(3):75-78
降低临界粒度是解决硅砖制品在烧成中产生裂纹的重要途径之一,当将临界粒度控制在25 m m 时,制品中基本没有裂纹产生,如果合理地选择粒度系数和矿化剂加入量,就会得到具有较高性能指标的硅砖制品。 相似文献
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炭化室属高温区域(1200℃以上),平均宽度450 mm,施工难度较大.修复过程需降温,制定合理的升、降温方案非常关键,防止炉体硅砖在升、降温期间碎裂. 相似文献
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砌于小烟道处硅砖提前出现粉末状损毁。经研究其原因是硅砖中方石英含量多,小烟道的工作温度正值硅砖中方石英多晶转变的温度范围,温度的频繁变化伴随着体积变化的频繁进行,最终导致硅砖的砖体结构的松散破坏。 相似文献
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以硅石为主要原料,以氮化硅、碳化硅、金属硅和熔融石英为添加剂,其添加剂加入量分别为1%、3%、5%.采用石灰乳和铁鳞为矿化剂,试样成型压强为100 MPa,试样烧成温度为1400 ℃保温3 h.研究了不同添加剂及其含量时试样烧结性能、物相成分、显微结构及抗热震性能的影响.试验结果表明:随添加剂引入量的增加,线变化率与显气孔率呈现先下降转而上升的趋势,抗折强度、体积密度与热震残余强度先上升转而下降,真密度为逐步降低.引入不同含量的氮化硅,其热膨胀率均小于未加添加荆的对比试样.引入5%氮化硅的试样,其鳞石英含量高达80%,显微结构致密. 相似文献
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本文通过对操作步骤、滴定、计数、计算四个方面进行研究、改进,提出了Zn(Ac)2作迈滴定剂的尾数微滴法。 相似文献
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铝电解槽碳化硅绝缘侧壁材料的耐蚀性 总被引:3,自引:1,他引:3
研究了在有氧气存在的条件下碳化硅砖的抗腐蚀情况,测定了在不同温度下碳化硅砖在氧气流中的抗氧化情况,发现在850℃和750℃时的氧化情况差别不大,但明显好于950℃时的氧化情况·观察了试样在950℃时的动态腐蚀情况,发现在有氧气存在的条件下,碳化硅砖在电解质中的腐蚀速度明显加快·因此认为在750~850℃的低温电解是新型惰性电极电解槽的首选工艺· 相似文献
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以硅石为主要原料,以氮化硅、碳化硅、金属硅和熔融石英为添加剂,其添加剂加入量分别为1%、3%、5%。采用石灰乳和铁鳞为矿化剂,试样成型压强为100 MPa,试样烧成温度为1400℃保温3 h。研究了不同添加剂及其含量对试样烧结性能、物相成分、显微结构及抗热震性能的影响。试验结果表明:随添加剂引入量的增加,线变化率与显气孔率呈现先下降转而上升的趋势,抗折强度、体积密度与热震残余强度先上升转而下降,真密度为逐步降低。引入不同含量的氮化硅,其热膨胀率均小于未加添加剂的对比试样。引入5%氮化硅的试样,其鳞石英含量高达80%,显微结构致密。 相似文献
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