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1.
本首次用图论方法探讨了硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构之间的关系,提出一结构基础明确的、普遍适用于硅烷、锗烷和锡烷的定量关系。计算结果表明,沸点预测值都接近实验值。应用本定量关系,不仅能够预测硅烷、锗烷和锡烷的沸点,而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。 相似文献
2.
3.
由2—噻吩基锂和N-吡咯格氏试剂分别与氟五甲基二硅烷反应,制得了2—噻吩基、五甲基二硅烷(Ⅰ)和N-吡咯基五甲基二硅烷(Ⅱ)。两种二硅烷都是无色液体。Ⅰ在室温下空气中是稳定的,Ⅱ在空气中逐渐转变成绿褐色。元素分析,IR,~1H MR和MS分析证实了其结构。Ⅰ和Ⅱ的最大紫外吸收峰分别为242.0nm和220.1nm。 相似文献
4.
三种羟基羧酸气相色谱法的分离及定量分析 总被引:1,自引:1,他引:0
优化了α-羟基异丁酸、苹果酸、酒石酸的三种羟基羧酸与N,O-双(三甲基硅烷)三氟乙酰胺进行硅烷化反应的条件,建立了GC分离.外标法对各组分的分析结果表明,α-羟基异丁酸、苹果酸、酒石酸的回收率分别为98.1%、98.3%、97.3%;变异系数分别为1.5%、0.7%、1.6%.因此羟基羧酸硅烷化后,采用气相色谱法进行定量分析是完全可行的。 相似文献
5.
以PEG-20M为固定相,三氟化硼为催化剂,3-缩甘油氧丙基三甲氧基硅烷(简称KH-560)为交联剂,二氯甲烷为溶剂,对预先用氯化钠沉积法粗糙化的玻璃毛细管柱进行动态涂渍。涂渍好的柱在150℃恒温4h进行交联。对交联柱的性能进行了严格的评价。 相似文献
6.
7.
以甲基乙烯基二氯硅烷为单体,采用超声钠缩合法合成聚(甲基-乙烯基)硅烷;在此基础上,采用相同的方法,变化单体以甲基乙烯基二氯硅烷和甲基苯基二氯硅烷为原料,合成了共聚硅烷和有一定程度交联的聚甲基乙烯基硅烷,并对它们用FT-IR,1HNMR,UV,TGA进行了表征.结果表明,聚(甲基-乙烯基)硅烷产物产率从2%提高到了28%;各种产物聚硅烷中均含有大量乙烯基基团,有利于进一步进行其他官能化反应. 相似文献
8.
采用了一种全新的方法,应用真空沉积技术在弹性的聚二甲基硅氧烷(PDMS)绝缘层上制备了均匀致密的并五苯薄膜.实验结果显示,通过氧等离子体处理和十八烷基三氯硅烷(OTS)气相修饰PDMS绝缘层,对沉积大晶粒的并五苯薄膜进而获得高迁移率的薄膜场效应晶体管有着至关重要的作用.实验中通过优化氧等离子体处理和OTS修饰的条件,在先后经过100 s氧等离子体处理和7 h气相OTS修饰的PDMS绝缘层上,制备并五苯薄膜场效应晶体管,其最高迁移率可以达到0.58 cm2·V-1·s-1.后续实验中在PDMS绝缘层上尝试并成功地制备了柔性的并五苯薄膜场效应晶体管.这一实验结果拓宽了PDMS作为柔性绝缘层可以通过真空沉积技术制备薄膜器件的能力,在未来大规模柔性电子产品的制备和优化中具有巨大的应用潜力. 相似文献
9.
为了满足化学工程设计的需求,文章采用斜式沸点仪测定了甲基苯基二乙氧基硅烷与邻二甲苯在5.325,10.325,15.325,20.325,25.325,30.325kPa下的汽液平衡数据.在相同的摩尔分数条件下相平衡的温度随着压力的增大而升高,呈现一定的规律性. 相似文献
10.
基团电负性与三甲基硅烷衍生物的标准生成热 总被引:1,自引:0,他引:1
韩长日 《湖北师范学院学报(自然科学版)》1990,(2)
利用前文建立的基因电负性,通过分析ΔΔfH~0(MeSiX/CH_3X)与基团电负性XG的关系,本文建立了两个计算ΔfH(Me_3SiX)的公式: ΔfH~0(Me_3SiX)=ΔfH~0(CH_3X)-15.18X_G-19.70 ΔfH~0(Me_3SiX)=ΔfH~0(HX)+(6.05p-15.18)X_G-16.08p-19.70 式中,X_G为基团X的电负性;X=F.0H、NH_2、Cl Br、SH.I.ΔfH~0(Me_3SiX)和ΔfH~0(HX)分别为Me_3SiX、CH_3X和HX的标准生成热,P为分子HX中氢原子的个数。两式计算的平均偏差分别为0.99 Kcal/mol和0.84Kcal/mol。同时,导出了一个计算Me_3Si—X键的键裂能的方法: DH(Me_3Si—X)=DH(CH_2—X)+15.18X_G-16.2, X=F、OH、NH_2、Cl、Br、SH、上式计算的平均偏差为0.99Kcal/mol。 相似文献