氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

浙江大学硅材料国家重点实验室

硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于1985年由国家计委批准投资建设,1987年通过国家验收,1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一,是对外学术交流的重要窗口。以该实     

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议（11th International Conference on Defects-Recognition，Imaging and Physics in Semiconductors（DRIP XI））于2005年9月15-19日在北京举行，来自26个国家（地区）的共124位代表与会。会议由中国科学院半导体研究所和浙江大学共同主办，会议主席是中国科学院半导体研究所的王占国院士，会议程序委员会主席则是浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授；会议国际指导委员会和会议国际程序委员会分别由著名学者JeanPierre Landesman、Piotr Edelman等16人和18人组成。     

硅基高频器件与SiGe外延技术

本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题，并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进，最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。     

半导体硅材料的新领域——评《硅纳米线分析》

20世纪90年代,纳米产品闯入世人生活,不断有信息向人们展示纳米技术给人们的生活带来的奇妙变化．例如,当咖啡不慎洒在裤子上时,完全不用担心它会弄脏你的裤子,因为这裤子是纳米纤维的料子做的;当你不幸遭遇粉碎性骨折时,用上纳米技术生产的骨头就不用担心走不了路或写不成字,你可以重新拥有自己的腿或胳膊．这就是神奇的纳米技术．从广义上说,纳米技术就是在纳米尺度上研究物质的特性与相互作用,并利用这些特性的多学科交叉的技术．纳米技术具有非常重要的意义,它导致了认知的革命:新物质世界及其特性,相应的新发现与新理论．     

采用PMMA的M-Z型热光开关性能的有限元分析

应用有限元法对采用有机聚合物PMMA的M-Z型热光开关进行了分析,重点考察了器件的的功耗和速度,计算结果表明此类结构的光开关的功耗可低至3.6 mW,比硅材料的SOI热光开关的功耗低两个数量级,这对于大规模的的集成非常有利,同时开关的上升和下降时间可达到14 ms和16 ms.     

ZnO P型掺杂研究取得重要进展

ZnO是一种非常重要的制备紫兰光器件的宽禁带半导体新材料 ,ZnO的P型掺杂是ZnO光电器件应用的关键技术和基础。浙江大学硅材料国家重点实验室叶志镇课题组在973计划项目“信息功能材料相关基础问题”的课题“宽带隙异质结构材料生长及电学、光学特性裁剪”和国家自然科学基金重点项目的支持下在ZnOP型掺杂方面进行了系统深入研究并取得重大突破。课题组发明了三种ZnO的P型掺杂技术 ,申请了 8项国家发明专利。其中使用N、Al共掺技术和用MOVCD混合气体掺杂技术制备的P型ZnO ,电阻率最低为 1.5Ω·cm ,空穴浓度 10 18cm-3 ,空穴迁移…     

德国科学家制造出光学隐身斗篷

正隐身斗篷在许多科幻小说和电影中时常出现。现实生活中隐身斗篷的原理也已问世,即阻止光线从任何一处反射,让对方无法察觉到物体的形状和颜色。制造隐身斗篷的关键在于材料,即光线从空气进入何种介质之中,如果这样的介质有助使光线发生偏振,物体就会容易隐藏。有     

用乙酰胺合成六方形貌介孔氧化硅纤维

以正硅酸乙酯(TEOS)为硅前驱体,乙酰胺(CH3CONH2)为助溶剂,十六烷基氯化吡啶(C16PyC l)为结构导向剂,在酸性溶液中合成六方形貌的介孔氧化硅纤维,经小角X射线衍射(SXRD)、扫描电子显微镜(SEM)和低温N2吸附-脱附技术等表征。结果表明:合成的样品为六角状外形的氧化硅纤维,直径约4~7μm,长度约几十微米。六角状纤维的孔道具有与MCM-41类似的六方结构;煅烧后样品的吸附数据显示出吸附-脱附等温线为典型的IV型,吸附-脱附滞后环为H2型,孔道的孔径分布较宽;BJH最可几孔径为2.96 nm和3.50 nm,表明样品具有特殊的双孔道结构;计算的BET表面积为1 060 m2.g-1。