ZnWo4：Cr^3＋的吸收光谱研究

本文通过对ZnWo4:Cr^3 晶体的光学吸收谱的观测资料^[1]的分析，假定Cr^3 杂质的有效晶场的八面体结构的变形后的D4晶场。采用Oh点群表象准对角型简化强场方案，导出了d^3-D4强场能量矩阵。首次计算了ZnWo4:Cr^3 的自旋允许谱精细结构。理论计算结果与实验吻合较好。     

用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布

半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高     

四硫代钼酸铵与四硫代钨酸铵合成方法改进的研究

对钼酸铵与硫化氢反应合成四硫代钼酸铵、钨酸与硫化氢反应合成四硫代钨酸铵的方法进行了改进。结果表明，采用改进后的方法，反应时间分别为７小时和１１小时。比文献值￣［１１］缩短了许多。产率分别为９１．１％和５２．１％，均高于文献值￣［１］。     

新生态δ-MnO2对废水中As(v)的吸附研究

利用新生态δ-MnO2对含As(v)的模拟废水进行了吸附实验，结果表明，δ-MnO2对As(v)有良好的吸附特性，有较好的去除率．吸附前MnO2悬浊液的PH值、MnO2的投放量、As(v)的初始浓度、吸附时间、温度等对吸附效果都有一定的影响．却除的最佳条件为：室温下，PH值为6．5，MnO2投放量为100mg，As(v)的初始浓度为10mg／L，吸附时间为2h，去除率可达96％以上。     

钨酸铜的生成及其氢还原过程的研究

本文提出一种生产微细钨铜复合粉的方法。将WO_3(或蓝钨)和CuO均匀混合,在空气中焙烧生成CuWO_4,再在氢气中还原,就能制得微细钨铜复合粉,其钨、铜两相分布均匀,钨颗粒细小且分布狭窄。本文详细地研究了钨酸铜的生成及其氢还原过程,与WO_3相比,发现两者的还原相变过程及动力学过程有某些差异。     

砷的形态分析方法及在食品安全领域的应用

文章介绍了砷的分离富集和检测方法,并采用HPLC-ICP-MS法对我国海产品中含砷总量进行了检测,得到各类海产品总含砷量的数据。总之,砷的形态分析的分析方法都是精确和有效的,可以在环境监测、生物医学、食品安全等多门学科中发挥更大的作用。     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。     

砷酸钛氧钾铁电薄膜的研制

ＫＴｉＯＡｓＯ４（ＫＴＡ）晶体是一种新型的性能优良的铁电晶体,它的电光效应和非线性光学效应尤为突出,使得它在光电子技术及非线性光学领域有一系列重要应用［１］．ＫＴＡ与另一种已知的性能出众的非线性光学材料ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）相比,具有更高的非线性光...     

钨砷系列杂多蓝的研究Ⅱ——1∶11钨砷双系列稀土杂多蓝

利用控制电位电解的方法合成了４种未见文献报道的杂多蓝,Ｋ１１Ｈ２〔Ｌｎ（ＡｓＷ１１Ｏ３９）２〕·ｘＨ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ）,并利用等离子体原子发射光谱等对其进行了元素组成的分析,利用ＩＲ、ＵＶ、极谱、光电子能谱、电子顺磁共振、热重差热等测试手段,对其结构和性质进行了研究．