用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布

半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高     

砷的形态分析方法及在食品安全领域的应用

文章介绍了砷的分离富集和检测方法,并采用HPLC-ICP-MS法对我国海产品中含砷总量进行了检测,得到各类海产品总含砷量的数据。总之,砷的形态分析的分析方法都是精确和有效的,可以在环境监测、生物医学、食品安全等多门学科中发挥更大的作用。     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。     

钨砷系列杂多蓝的研究Ⅱ——1∶11钨砷双系列稀土杂多蓝

利用控制电位电解的方法合成了４种未见文献报道的杂多蓝,Ｋ１１Ｈ２〔Ｌｎ（ＡｓＷ１１Ｏ３９）２〕·ｘＨ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ）,并利用等离子体原子发射光谱等对其进行了元素组成的分析,利用ＩＲ、ＵＶ、极谱、光电子能谱、电子顺磁共振、热重差热等测试手段,对其结构和性质进行了研究．     

氢化物发生-原子荧光光谱法测定饮料中微量砷

采用氢化物发生－原子荧光光谱法测定饮料中砷的含量，研究硼氢化钾浓度、盐酸浓度等因素对测定结果的影响，建立饮料中微量砷的适宜分析条件。方法检测限为0．60μg/kg，回收率在93％－96％之间。     

络合吸附法提取镓的研究

提出一种富集和提取镓的新方法——吸附沉淀法．在一定的试验条件下，使单宁和镓生成有色的单宁．镓络合物，利用活性炭吸附有色络合物，把单宁一镓络合物吸附到活性炭上，过滤分离，灼烧滤渣，得到了含镓量较高的灰分，实现了镓的分离、富集和提取，回收率达到99％以上．     

砷酸根及铬酸根在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面的竞争吸附

在模拟氧化及酸性土壤条件下，用制备的低聚合羟基铁-蒙脱石复合体进行了砷酸根、铬酸根离子的竞争吸附实验，研究了砷酸根离子和铬酸根离子不同用量及不同添加顺序对竞争吸附的影响，并与蒙脱石和含水氧化铁进行了对比。结果表明，低聚合羟基铁-蒙脱石复合体对砷酸根及铬酸根离子有不同的吸附能力，但在实验条件下砷酸根及铬酸根离子在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面不发生竞争吸附。砷酸根和铬酸根的吸附顺序对其吸附量有一定的影响。竞争吸附实验的砷酸根、铬酸根吸附量均高于对其单阴离子的吸附量，此现象在复合体表面最为明显，说明复合体具有独特的阴离子吸附性能。     

钒（V）——荧光镓极谱络合吸附波的研究

在ｐＨ６．０的ＫＣｌ底液中，钒（Ｖ）－荧光镓（ＬＭＧ）配合物产物－灵敏的极谱吸附波，峰电位在－０．８６Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），二次导数峰度与钒（Ｖ）浓度在３．９×１０＾－９～３．９×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，检测限为２．０×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ，研究了电极反应机理，方法已成功应用于自来水中钒的测定。