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1.
介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。 相似文献
2.
现今,“希格斯玻色子”被认为是所有基本粒子质量的来源,也是标准模型预言的最后一种粒子,目前,物理学家普遍认为不排除未来可能会发现其他带电荷的希格斯玻色子。许多物理学家认为:事实上,希格斯玻色子组成希格斯场是一种更加复杂的理论模型,而这些理论模型预言了应有五种不同的希格斯玻色子,它们不仅带有电荷,还有可能带有色荷,而且质量也不相同。希格斯场遍布在宇宙中,该文就这五种不同希格斯玻色子及其组成的希格斯场,作一理论模型预言之图表解析。 相似文献
3.
4.
以SnCl4·5H2O为原料,真空溅射法制备SnO2·X电热膜。研究了元素搀杂量及镀膜温度对电阻及电阻温度特性的影响。家庭电暖气加热器的应用实验结果表明,SnO2·X膜热效率高,功率密度达到42W·cm-2. 相似文献
5.
实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响. 相似文献
6.
本文是根据R.E特内、R.L考夫曼等人之作编译而成。大尺寸充气体黑洞具有类似于国家点火装置(NIF),所预期的等离子体条件,可用来测量受激布里渊散射(SBS)。上述等离子体是热的(3keV),电子密度高,处于似稳态,而在大于2mm长度上是均匀的。另外,还介绍了类似的NIF照射条件,低SBS背光的观测。 相似文献
7.
本文对某基坑开挖支护工程的真空井点降水方案的设计,施工及管理经验作了简要阐述.最后还就真空井点降水在基坑周边形成真空帷幕用以截水这一问题作简要探讨. 相似文献
8.
采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2,
并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1
min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48
eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺. 相似文献
9.
10.
无序瞬子媒质中的两胶子凝聚 总被引:1,自引:1,他引:0
在量子色动力学瞬子真空模型中,研究了SUc(2)、SUc(3)规范场论中两胶子凝聚的温度依赖关系,用费曼变分原理和平均场近似方法,发现两胶子凝聚随温度升高而衰减,在T≈4.5∧ms时,凝聚几乎消失;色磁凝聚和色电凝聚的干涉部分同非干涉部分相比,虽然比较小,但在低温区不可忽略。 相似文献