MgO掺杂对Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3陶瓷结构和性能的影响

用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14℃时测量的电滞回线表明MgO掺杂后陶瓷的自发极化和矫顽场均减小,说明陶瓷的铁电性能减弱.     

Ba6-3xNd8+2xTi18O54(x=2/3)的聚合物前驱体法合成研究

以EDTA为络合剂，EG为酯化剂，利用聚合物前驱体法合成了Ba6-3xNd8 2xTi18O54陶瓷，研究了不同的EDTA与金属离子摩尔比对粉末结晶特性的影响，利用DTA，TG和XRD等技术分析了Ba6-3xNd8 2xTi18O54前驱体和得到的氧化物粉末，测试了由x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体得到的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷的微波介电性能。在900℃预烧x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体3h，单相的Ba6-3xNd8 2xTi^18O54(x=2／3)直接形成，没有出现中间相。1000℃预烧，1340℃烧结的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷具有最佳的微波介电性能：ε=87．1，Qf=8710GHz。     

新阴极材料CrO3—MoO3的合成及电性能研究

本文首次报导应用简单工艺，在常压下制备ＣｒＯ３－ＭｏＯ３合成材料。对该材料的结构特征及电性能进行了测试和研究。结果表明，ＣｒＯ３－ＭｏＯ３是一种新型的阴极材料。它不仅具有良好的放电性能，而且与ＣｒＯ３相比，它的毒性、腐蚀性和吸水性均大为降低，可直接作为固体电池的新阴极材料。     

The Effect of Casting Solvent on the Electrical Property of Polyaniline/ Polyacrylonitrile

Blends of dodecylbenzene sulfonic acid doped polyaniline （PANI-DBSA） and polyacryionitrile （PAN） dissolved in either CHCh/DMF or CHCl3/DMSO mixture were solution cast. The conductivity of the blends with various compositions was measured and the doped ：xtent of PANI- DBSA in different casting solvent systems was studied. Solution blends prepared from CHCh/DMSO displayed higher conductivity than those obtained via CHCh/DMF. The dedoping reaction of PANI-DBSA in CHCl3/DMF identified by UV-Vis and FTIR analysis contributed to the lower conductivity of PANI-DBSA/PAN blend.     

(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3纳米粉体结构与介电性能

针对微波介质瓷料系统成瓷过程中介电损耗较大且成瓷温度较高的问题,采用湿化学法制备(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3粉体,并采用XRD、IR和TEM等分析方法进行表征.结果表明,800℃灼烧3h所得晶体为三方晶系,平均粒径为34nm.采用这种瓷粉在1060℃制得的瓷件,介电常数ε=508,介电损耗tanδ=4.6×10-4,温度系数αc=-440×10-6/℃,电阻率ρv>1012Ω·cm;当Nb∶Ta=0.7∶0.3,成瓷温度为950℃时,即可获得NPO温度特性.瓷件的介电性能优于固相法,且成瓷温度下降.     

碳化温度对石油焦电性能的影响

为了提高石油焦的充放电容量、第一次的充放电效率和减少其不可逆容量，对石油焦进行热处理，将粒径在0．99110A95mm之间的石油焦在氮气保护的高温炉中以30(℃／min)分别升温到700℃、900℃、1100℃和1300℃进行碳化，然后测试其电性能，发现电极的第一次充放电效率随着碳化温度的升高而升高，并且在900℃时，电极的放电量最大。     

用无铅玻璃料研制环保型导电浆料

研究了Li2O,NaF,Al2O3和ZnO对玻璃体系软化温度和熔化温度的影响,在此基础上研制出了软化温度Tg低于500℃、熔化温度Tm低于560℃的低温无铅玻璃.分析了Li2O和NaF等对玻璃体系助熔的机理,用X射线衍射技术(XRD)分析了玻璃料的结晶状态,实验结果表明,制备的B2O3,Bi2O3和SiO2体系玻璃料为微晶玻璃,玻璃体系结构稳定.利用该玻璃料制备出的导电浆料,电性能优良,能满足低温电极的使用需要.     

Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3无铅压电陶瓷制备及性能

研究了不同烧结制度下的NBBT6陶瓷的致密度、介电和压电性能.870℃左右预烧,可以得到致密且压电和介电性能较好的陶瓷(d33=107 pC/N.∈r=750,tanδ为3.23%).通过相应的粒度分析可知,提高预烧温度对粒度的影响不太大,但可用于湿法制备工艺中的原材料制备,解决湿法工艺中材料易被极性水分子解离而影响材料组分的问题.加入少量的BaTiO3到NBT中形成NBT-BT的固溶体,通过对压电介电性能及XRD的分析可知.当质量分数x=0.06时.(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3晶体结构出现由三方相到四方相的转变,此时的性能达到最大值(d33=114 pC/N,∈r=1 173.tanδ为3.4%).     

基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×108循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管     

碳纳米管／聚偏氟乙烯-三氟乙烯复合纳米线的制备及其性能研究

主要研究了未经处理的多壁碳纳米管和聚偏氟乙烯-三氟乙烯[-MWCNT／P（VDF-TrFE）的复合纳米线的制备及其介电性能．[MWCNT／P（VDF-TrFE）]混合溶液在正负压差下灌注到氧化铝模板中形成复合纳米线．通过扫描电子显微镜（SEM）可以清楚的看到复合纳米线的表面形貌微结构．X射线衍射（XRD）和差示扫描量热法（DSC）都表明了碳纳米管影响共聚物的结晶相．通过对其介电性能的分析得知复合纳米线的介电性能得到了有效地改善．