药物学领域的电子束辐射技术——一种新型抗结核制剂

为了根除疾病,药物学研究的重点已经从单纯的药物化学领域扩展到化学、生物学、电子学等多学科结合领域.本文介绍了俄罗斯科研人员运用电子束加速器固定技术研制的新型抗结核药物制剂,该制剂改善了原有的抗结核药物的内涵,加强了药物制剂中生物活性物质的作用.     

MEMS三维光刻技术的研究

微细加工技术是MEMS技术的核心技术，本文详细介绍了常用的MEMS三维加工工艺、应用现状和发展趋势，并提出了目前这些方法中存在的缺陷。     

让等离子体电视走进你的生活

随着等离子体电视的诞生,曾独领风骚的阴极射线管彩电似乎已达至极限,制造更大尺寸的阴极射线管无论材料、结构、工艺上都相当困难;电子束扫描形成的图像清晰度、色彩、几何变形也很难进一步提高;画面闪烁、辐射更难以克服。液晶显示器虽有轻、薄、无辐射、无闪烁等优点,但是对比度一般只有300∶1,像素质量不高和反应速度慢更是致命弱点。     

BEPCⅡ工程直线加速器正电子调束取得成功

北京正负电子对撞机重大改造工程(BEPCⅡ)继2004年11月19日将电子束调试到直线加速器的末端，保证储存环同步辐射专用运行，并提供BESⅢ探测器研制所需的试验束之后，于2005年3月19日成功将正电子束调到直线加速器出口，初步定标流强达45mA(改造前BEPC正电子流强为3-5mA)，正电子能量达1．3GeV，已能够为储存环提供正电子进行机器研究。这标志着BEPCⅡ直线加速器改造又向前迈出关键一步。     

线性电子枪的计算机辅助设计与实验研究

为满足实验研究工作的需要,采用计算机辅助设计,完成了线性电子枪的结构设计。为使电子枪形成的电子束偏转１８０°或２７０°来加热金属,又进行了线圈磁场的理论计算,并采用等Ｂ磁铁设计,产生满足要求的均匀磁场。通过计算,分析了电子枪结构参数与束流特性的关系及磁靴结构与磁场强度的关系。在理论分析的基础上,进行了大量实验研究,最后得到了满足设计要求的电子枪。     

对电子束蒸发沉积的ZnO：Al膜电学性能的研究

使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。     

电子束烟气脱硫技术

介绍了电子束烟气脱硫工艺的基本原理、工艺流程、特点及潜在的问题，并从经济性方面与简易温法脱硫和半干法脱硫进行了对比分析，同时提出了解决存在问题的办法。     

利用相干渡越辐射测量自由电子激光的群聚

探讨了利用相干渡越辐射(CTR)来测量自由电子激光(FEL)群聚电子束的测量方法。根据相干渡越辐射(CTR)的特性,结合FEL中电子束群聚的特点,建立了理论模型。利用CAEP光阴极RF腔注入器、30 M eV射频加速器产生的30 M eV电子束及相应的FEL装置进行了实验验证。结果表明:群聚后电子束渡越辐射的强度大大高于非群聚电子束的辐射强度,而且辐射角也很小,反映了该辐射的相干性,由此可以给出电子束的群聚效果。     

衬底温度对ZnCoCuO蒸镀膜结构和性能的影响

用X射线衍射方法分析了在Si(001)衬底上电子束蒸镀制备的Zn0.84Co0.15Cu0.01O薄膜的结构特征,测量了薄膜的磁性质,研究了衬底温度对薄膜晶体结构及磁性能的影响。实验发现,衬底温度在350～500℃的范围内,薄膜都具有室温铁磁性,而且在(002)晶面取向有极大值,饱和磁化强度和剩磁随衬底温度增加近于单调减小。     

退火温度对钨中He相关缺陷演化影响的研究

本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.