韩波博士简介

<正>韩波,男,1983年8月生,安徽颍上人。2007年毕业于华东师范大学电子系,获工学学士学位。2012年毕业于华东师范大学电子系(硕博连读),获工学博士学位,2012年至今在阜阳师范学院计算机与信息工程学院从事教学科研工作,2014年东南大学毫米波国家重点实验室客座研究。韩波博士主要从事微波毫米波片上元件建模与设计研究。内容主要涉及:异质结三极管     

耐火浇注料的发展现状及应用

文章以高铝质、莫来石质和刚玉质耐火浇注料为例,系统介绍了耐火浇注料的组成和性能,阐述了典型的耐火浇注料结合剂及外加剂,并总结了耐火浇注料的发展现状及应用领域。     

船舶主机填料函结碳严重的原因及对策

本文介绍了主机填料函结碳严重的现象,分析了可能导致该现象产生的原因,如燃油品质问题、气缸注油率问题、主机长期运行负荷问题等,并提出针对性对策,如提升主机转速、缩短主机扫气箱的清洁周期和定期对喷油器进行拆检。     

海上电泵结蜡井热循环洗井工艺参数优化设计

为探索海上油田电泵举升结蜡井热循环洗井工艺井筒温度场分布规律，综合考虑潜油电机增温、电缆散热、热流体注入量、注入深度、注入温度、结蜡管段传热和海水空气导热的影响，基于热能守恒原理，建立了电泵井结蜡热循环洗井工艺井筒温度场计算模型，分析了热流体注入温度和注入量对混合产出流体的井筒温度分布的影响。研究结果表明，随着注入量的增加混合产出液沿程井筒温度增加，随着注入温度的增加混合产出液沿程井筒温度增加。该方法可有效指导现场措施工艺的实施，达到延长结蜡井的清蜡周期、延缓产液/产油量下降速度的目的。     

隧道磁阻效应原理研究取得新进展

磁隧道结是磁随机存储器中的核心部件．寻找具有良好隧道磁阻效应的磁隧道结是制造性能优良的磁随机存储器的关键，是目前的研究热点之一．近年来，人们发现基于氧化镁绝缘层的磁隧道结在常温下具有非常巨大的隧道磁阻，大量的实验研究工作测出了相当多的试验数据．同时，一些研究组也做过相应的理论计算，但是计算结果与实验数据一直符合得不好．     

微波消解石墨炉原子吸收法测定丁香中微量元素镍

用微波消解石墨炉原子吸收法测定[1]丁香中的微量元素镍。选择最佳微波消解条件和测定条件,对样品多次测量,回收率为89.6%-110%,样品丁香中镍的含量为1.06μg/g。该方法测定具有灵敏度高,重现性好,简单快速等特点,为丁香的进一步开发提供科学依据。     

Foundation of three—dimensional mathematical models for glass furnace regenerator

This paper presents a practical three-dimensional meathematical model of circulation and heat transfer in generator of glass melting furnaces.The model was based on the heat transfer between the smoke flow and the lattice units,and between the air flow and the lattice units.This model not only bypassed the difficulty of complicated computation of the heat transfer process in the regenerator of glass furnaces,but also avoided the irrationality of fixing the temperature distribution on the surfaces.Use of the model yielded very important data and also the method for the design of the regenerator of glass furnaces in practical production.     

喇嘛甸油田北北块二区萨Ⅲ4-10厚油层综合调整方法研究

本文从喇嘛甸油田厚油层开发特点入手,通过对北北块二区厚油层的井网加密调整、选择性射孔后,初期取得了一定的效果。但是,随着开采时间的延长,区块存在低效井比例多、注采比低、含水上升快等问题。针对上述问题,采取了行之有效的精细调整方法,取得了一定的效果,为喇嘛甸油田的厚油层加密调整提供了依据。     

浅谈中学历史课堂结课艺术

在中学历史课堂中,结束语和导入语同样重要。教师可以根据新的教学理念,结合学生的实际情况,充分发挥自己的主观能动性,精心设计课堂结束语,使历史结课更具有艺术性,使历史课收到更好的教学效果。     

大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性

采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2, 并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1 min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48 eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺.