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1.
2.
用透射电镜研究了纯铁离子氮化缓冷后时效时,其扩散层中相的转变过程,并用实验力学中测定宏观应变的Moire法原理,通过对电镜水纹图象进行分析,测定了a"与a_N相间的共格应变值。 相似文献
3.
42CrMo钢离子氮化—沉淀强化组织结构的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了42CrMo钢离子氮化—沉淀强化的组织结构,结果表明,离子氮化层的组成为ε、r'a_N、Fe_3C和少量Cr_2N、Mo_2N、CrMoN_x及a";经时效处理后,ε相和a_N相弥散析出Cr_2N、Mo_2N和a" 。325℃时效,CrMoN_x消失;500℃时效,Mo_2N大大减少。a"、Cr_2N和Mo_2N弥散共格析出,必将使氮化层强化。 相似文献
4.
氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起. 相似文献
5.
6.
用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxN,超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化.结果表明:低场时的漏电流很小;进入隧穿电场时,I—E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律;在更高的电场时,主要出现两种情形,其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿,其二是I-E曲线下移,偏离F-N关系,直至介质膜发生击穿.研究表明,I-E曲线随氮化时间增加而上移.文中对这些实验结果进行了解释. 相似文献
7.
采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优[111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为[100]、[111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少. 相似文献
8.
碳化钼和氮化钼结构、催化加氢性能及制备 总被引:4,自引:0,他引:4
就碳化钼和氮化钼结构及性质对芳香烃加氢、不饱和烃加氢、CO加氢以及加氢脱硫和脱氮等反应催化性能及其制备化学进行了综述. 相似文献
9.
10.
在盐酸质子化条件下,采用超声微波协助法成功制备了可见光型复合催化剂WO3/g-C3 N4。利用X射线多晶粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外可见漫反射(UV-Vis)和BET比表面测试仪对样品进行了表征,并以罗丹明B(RhB)为目标降解物对其光催化性能进行研究。结果表明:复合催化剂样品是由片状的 WO3纳米片负载在g-C3 N4表面组成的。当 WO3负载的质量分数为40%时,前驱物在500℃条件下煅烧2 h后所得样品的光催化性能明显好于同条件下制得的单一相 WO3和g-C3 N4,在可见光(波长大于420 nm)照射下,5 h 内对100 mL浓度为10-5 mol/L罗丹明B橙溶液的降解高达98%。 相似文献