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1.
2.
用加热分解α-G2S3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。 相似文献
3.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
4.
5.
氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
常天海 《华南理工大学学报(自然科学版)》2003,31(9):40-43
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5~106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150~200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重. 相似文献
6.
7.
钒(V)——荧光镓极谱络合吸附波的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在pH6.0的KCl底液中,钒(V)-荧光镓(LMG)配合物产物-灵敏的极谱吸附波,峰电位在-0.86V(vs.SCE),二次导数峰度与钒(V)浓度在3.9×10^-9~3.9×10^-6mol/L范围内呈线性关系,检测限为2.0×10^-9mol/L,研究了电极反应机理,方法已成功应用于自来水中钒的测定。 相似文献
8.
采用水热合成与离子交换方法合成了不同过渡金属三取代的Keggin结构杂多阴离子GaW9M3(M=Fe3+、Cu2+、Co2+、Zn2+)柱撑粘土.元素分析、XRD和IR对产物的组成和结构测试表明,杂多阴离子被嵌入粘土层间后仍保持原有的Keggin结构,而粘土的层间距却从0.89nm增大到1.46±0.01nm.ESR结果则表明GaW9Cu3进入层间后,由于层板的影响,CuO6八面体中的CuO键的离子性有所增强.催化实验显示柱撑粘土对合成邻苯二甲酸二辛酯(DOP)的酯化反应具有较高的催化活性 相似文献
9.
热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响 总被引:2,自引:4,他引:2
利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10min)的样品,样品在400℃的大气中进行1h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好. 相似文献
10.
PIF同步荧光猝灭法测定Ga(Ⅲ) 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了显色剂胡椒基荧光酮(PIF)同步荧光猝灭法测定镓的新方法.实验表明:在CPB存在下,于pH值为6.0的六次甲基四胺-HCl缓冲溶液中,随着Ga的加入,PIF的同步荧光光谱峰λex=495 nm(Δλ=50 nm)发生猝灭.猝灭程度与Ga的浓度成正比,线性范围为0~0.6μg/mL,检测限为82.6 ng/mL.方法简单、快速,用于合成样品中微量镓的测定,结果满意. 相似文献