等间距平行线辅助机器视觉实现工件尺寸测量

针对工业柔性密封圈形变造成内外圆尺寸发生改变和传统成像系统畸变造成图像边缘轮廓失真,从而直接影响轮廓测量精度的问题,提出一种基于等间距平行线工件尺寸测量算法.首先对工件区域进行轮廓跟踪,求出区域的边界像素点序列;其次,绘制一组水平或垂直方向等间距平行线,对工件轮廓进行拟合;最后,根据圆的计算公式求解出曲面轮廓的尺寸参数值,从而减少畸变造成的测量误差.通过对密封圈内外轮廓尺寸精度和断面精度对工件测量影响的分析,结果表明:基于等间距平行线工件尺寸测量算法对柔性圈内外径最小误差分别为0.5％和0.9％,横断面最小误差为1.6％.     

含量子点的A-B环中的持续电流(PC)与环尺寸的关系

对处于磁场中的近藤体系的闭合点环系统，其基态性质用单一杂质安德森模型哈密顿量加以研究；该哈密顿量是用平均场理论Slave—Boson技术求解。结果表明：由磁场感应的电流与系统字称和环的尺寸大小有很大关系，通过理论研究得出一些新的结论并探讨了一些相关问题。     

运用TQC方法提高活塞质量

在生产中通过运用ＴＱＣ方法和ＰＤＣＡ循环，降低了活塞热加工毛坯的废品率，从而提高了活塞质量，取得了较好的经济效益。     

大尺寸充气体黑洞中激光等离子体相互作用

本文是根据Ｒ．Ｅ特内、Ｒ．Ｌ考夫曼等人之作编译而成。大尺寸充气体黑洞具有类似于国家点火装置（ＮＩＦ），所预期的等离子体条件，可用来测量受激布里渊散射（ＳＢＳ）。上述等离子体是热的（３ｋｅＶ），电子密度高，处于似稳态，而在大于２ｍｍ长度上是均匀的。另外，还介绍了类似的ＮＩＦ照射条件，低ＳＢＳ背光的观测。     

结构可靠性设计中尺寸变差系数的确定方法

提出了在结构可靠性设计中,根据现有加工条件和设计要求确定几何尺寸变差系数的思想,并给出了当已知精度等级时,直接加工尺寸和组合尺寸变差系数的计算方法和程序。采用该方法使可靠性设计更切合实际。     

Pb-Sn-Bi三元系α相固溶体的点阵参数

应用X射线衍射法测定了Pb-Sn-Bi三元系Pb基α相固溶体的点阵参数,发现点阵间距与成分呈线性变化,对两批实验数据分别进行回归分析,得到点阵参数-浓度关系的统一解析式: α=0.49495X_(Pb)+0.47813X_(Sn)+0.50629X_(Bi)。其F检验置信度大于99.9％,残余标准差σ=6.4×10~(-5) nm,分析点阵畸变的影响因素表明尺寸效应是控制固溶体点阵行为的主要因素。     

M-M型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应

探讨了M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的物理机制，指出了影响颗粒膜巨磁电阻效应的因素，推导出M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的计算公式。     

产品的装配精度及工艺保证方法

产品的装配精度,不但决定于零件的精度,而且决定于装配方法。装配精度反映产品的质量,要保证产品质量,必须合理选择装配方法。     

基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.     

加工蜗轮体半园凸台夹具的设计计算

对蜗轮体零件进行较详知的分析基础上,运用尺寸链原理和六点定位原理对蜗轮体半园凸台夹具作了定位误差分析和定位精度计算,证实了该夹具设计的可靠性与合理性。