复合氧化物晶体晶格能的近似计算

本文以 Born-Harb 循环为依据,推导了复合晶体晶格能和与其相应的各二元化合物晶体晶格能之间的关系,并由此给出了复合氧化物晶体晶格能近似计算的新公式。对20种复合氧化物晶体晶格能计算结果的分析表明:用本文所给公式对复合氧化物晶体晶格能进行近似计算是可行的。     

键参数拓扑指数与碱金属卤化物的晶格能及标准生成焓的相关性

根据碱金属卤化物的离子半径R,有效核电荷数Z*提出了一个新的拓扑指数Az,并将Az、△Xp(电负性差)与20种碱金属卤化物的晶格能、标准生成焓进行关联,拟合的回归方程的相关系数为0.994、0.973,其结果显示了满意的线性相关性.     

分子电负性距边连接性标量指数（∧）在金属卤化物的结构表达和性质预测中的应用

基于化合物分子的拓扑图结构建立的分子电负性距连接性指数（a novel scalar index of molecular electronegativity distance-edge connectivity,Imedc,∧），在对有机物的定量构效关系（QSAR／QSPR）研究中，具有高度选择性、相关性、稳定性和良好的预测能力；本文尝试将其扩展到无机物：以分子电负性距边连接性指数（Imedc,∧)实现对金属卤代化合物的结构性质的表征及相关研究。运用多元线性回归（MLR）方法，以此分子电负性距边连接性指数建立20个碱金属卤代化合物的晶格能（U）和34个过渡族金属卤代化合物的标准生成焓（△fH^θ）结构性质相关模型，对于碱金属卤代化合物的晶格能相关模型的相关系数为RMX=0.9732(n=20），对于过渡族金属卤代化合物的标准生成焓RMX=0.8907(n=34),取得令人满意的结果。     

碱土金属化合物晶格能计算的新方法——离子贡献法

本文提出了一种计算碱土金属化合物品格能的新方法——离子贡献法。该方法只需本文提供的离子贡献值即可计算得到晶格能,而不需要任何实验数据。对碱土金属氧化物、卤化物、氢化物、氢氧化物、硫酸盐、碳酸盐、磷酸盐等十九类75种化合物的计算结果表明,计算值与实验值之间的一致性令人满意,计算结果的平均相对误差仅0.79%,小于目前已有的所有方法的计算误差。     

晶格能计算方法的教学探讨

本文通过总结晶格能计算方法教学体会,对全国一些具有代表性的统编教材中计算晶格能的方法进行了比较,推荐一种简单、直观、易懂的计算方法。     

离子晶体晶格能的计算机辅助计算

指出了推导Ｍａｄｅｌｕｎｇ常数时出现的一种错误，这种错误普遍存留于当今有关晶体的利用数论和计算机技术给出了一种计算离子晶体晶格能的方法，并给出实例。     

一个新的结构参数在无机化学中的应用

定义了新的原子参数Wt和分子结构参^mW,并与碱金属卤化物、水合离子的物理化学性质作相关性研究得到很高的相关系数．依据最小二乘法建立的回归方程在α=0.01下通过F检验，因此，分子结构参^mW能够用于预测化合物和离子的性质．     

价电子平均吸引能拓扑指数mP及其应用

构建了价电子平均吸引能拓扑指数^mP用6mP的0，1阶指数分别与16种碱金属卤化物的熔点m.P．、磁化率Xm，键长Bet以及20种碱金属卤化物的晶格能U、解离能ΔfHm、离子水化能ΔfGm^θ关联，拟合的回归方程的相关系(指)数分别为0．9433，-0．9854，-0．9933，0．9977(0．9979)，0．9775(0．9779)，0．9767(0．9792)，基本上满足优级或良级标准．结构选择性达到唯一性表征，预测取得较好的结果．