螺旋结构与旋光方向(Ⅵ):手性4-取代[2.2]二聚二甲苯类化合物的螺旋结构与旋光方向

为了扩展我们的理论成果，现选取手性旋光的4-取代[2．2]二聚二甲苯类化合物{其CA命名为5-取代三环[8．2．2．2^4.7]十六碳-4，6，10，12，13，15-六烯}作为螺旋结构与旋光方向研究的第六个序列．通过构象分析和依据螺旋判定规则，指定了模型分子的旋光方向，然后从献中找出了21个这类衍生物和它们的旋光值．比较结果显示，R-构型4-取代[2．2]二聚二甲苯类衍生物净值螺旋性为负，所显示的旋光方向也为负；同理，S-构型类净值螺旋性为正，所显示的旋光方向也为正，从而验证了螺旋理论的正确性。     

差分脉冲极谱法测定苯胺中微量硝基苯

建立了测定苯胺中微量硝基苯的差式微分脉冲极谱法。试验发现硝基苯在-0．57V(vs．Ag／AgCl)处有一个良好的差分脉冲极谱峰。硝基苯质量浓度在1～600μg/mL的范围内，质量浓度与差分脉冲极谱峰的峰高呈线性关系。此法简便、快速、灵敏，结果准确。     

589nm可调谐法拉第反常色散滤光器特性分析

考虑到钠原子Ｄ２线（３Ｓ１／２→３Ｐ３／２）５８９ｎｍ的超精细结构，以及具有Ｖｏｉｇｔ线型的左右旋园偏振谱线的贡献，我们对钠原子气体的法拉第反常色散滤光器的透过率、中心频率移动、通频带宽等跟外加纵向磁场强度、原子汽室温度的关系进行了理论分析．结果表明：该滤光器的中心工作频率磁场调谐能力约为８０ＧＨｚ／Ｔ，通频带宽为０．００１～０．０１ｎｍ，透过率约可达１００％．     

我国重组蛋白药物产业化取得重大突破

西北大学现代分离科学研究所成立于1994年(前身为现代分离科学研究室,成立于1986年),1995年被批准为陕西省重点实验室,是我国第一个专门从事现代分离科学理论研究,特别是生物大分子分离和纯化的新     

水液相下两性α-丙氨酸Mg2+配合物旋光异构的理论研究

采用密度泛函理论的M06-2X方法结合自洽反应场理论的SMD模型方法,研究了水液相下两性α-Ala(丙氨酸)与Mg²⁺配合物的旋光异构.研究发现:α-Ala·Mg²⁺的旋光异构反应有3个通道a、b和c,a是质子分别以羰基氧和氨基氮为桥迁移;b是质子只以羰基氧为桥迁移;c是质子从质子化氨基迁移到羰基氧后,再以氨基氮为桥迁移.势能面计算表明:隐性水溶剂效应作用下α-Ala·Mg²⁺旋光异构的c通道具有优势,决速步能垒是218.1kJ·mol^-1,a和b通道处于劣势,具有共同的决速步能垒297.1kJ·mol^-1.水分子(簇)的作用使c通道的决速步能垒降到143.0kJ·mol^-1,a和b通道的决速步能垒降到148.7kJ·mol^-1.结果表明:水液相环境下α-Ala·Mg²⁺可以较好地保持其手性特征,α-丙氨酸二价镁盐用于生命体镁和丙氨酸同补具有很好的安全性.     

用于外腔倍频激光的旋光滤波设计与分析

为了得到纯净的单色倍频光,依据石英晶体的旋光特性,利用石英晶体和起偏棱镜的组合,给出了一种用于将外腔倍频激光中的基频光去除的旋光滤波设计.石英晶体的厚度只要满足使倍频光与基频光的旋光角之差为π/2的奇数倍,就能滤除基频光而获取纯净的倍频光.利用Origin软件分析了石英晶体的厚度误差对滤光性能的影响,结果表明：厚度误差在±0.02 mm以内时,对滤波效果的影响可以忽略.     

枸杞多糖分离纯化及性质研究

对东北枸杞中提取的多糖,通过DEAE-cellulose(OH-)色谱柱和Sephadex G-100凝胶色谱柱进行了分离纯化,通过凝胶色谱和液相色谱对其纯度进行了鉴定,并通过红外光谱初步分析了其基团构成.     

水液相环境下赖氨酸旋光异构及羟自由基致其损伤的机理

在MP2/6-311++G(2-df,pd-)//B3LYP/6-31+G(d,p)双理论下, 采用自洽反应场(SCRF)理论的SMD模型方法, 研究水液相环境下, 两种稳定构象赖氨酸分子基于氨基氮为氢迁移桥梁的旋光异构过程及羟自由基致其损伤的机理. 势能面计算结果表明： 在水液相环境下, 当2个和3个水分子簇作为氢迁移媒介时, 构象1旋光异构的决速步骤Gibbs自由能垒分别为116.02,112.71 kJ/mol, 构象2旋光异构的决速步骤Gibbs自由能垒分别为110.27,114.29 kJ/mol; 当羟自由基与水分子链作为氢迁移媒介时, 羟自由基抽氢致赖氨酸分子构象1和构象2损伤的Gibbs自由能垒分别为-53.06,-56.05 kJ/mol, 均为无势垒反应. 即在水液相环境下, 赖氨酸分子可缓慢地旋光异构, 羟自由基可迅速致赖氨酸损伤.     

一种测量电光旋光晶体La3Ga5SiO14电光系数γ11的新方法

从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究,应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态,推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件,利用旋光晶体电光系数γ_(11)与施加电场的电压V和晶体角度α的关系,通过实验,测量了La_3 Ga_5 SiO_(14)晶体电光系数γ_(11)为2．2×10~(-12)m/V．