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1.
2.
我们已经知道,对于z~n、e~z、sinz中的每一个函数都存在有另外的、不同于我们原来所选好的单叶性区域.特别说来,对于函数ω=z~n,可以取任一个以原点为顶点、幅度为2π/n的角作为单叶性区域;对于函数e~z可以取任一个宽度为2π,而边平行于实轴的带形作为单叶性区域;对于函数sin z可以取任一个带形:(2k-1)/2相似文献
3.
摘要本文总结了沿海地区低压电网的运行特点,分析了消弧装置在沿海地区低压电网应用中的装置组成、技术特性及具体运行情况,提出了消弧装置在沿海地区低压电网发展中存在的问题及趋势. 相似文献
4.
从嗜热蓝藻鞭枝藻(Mastigocladuslaminosus)中分离出藻胆体,并对其光谱特性进行了研究.完整藻胆体的室温荧光峰位于673um,77K荧光发射光谱中只有一个峰,位于685um,解离的藻胆体的77K荧光峰位于683nm,并在666nm和650nm处形成小的荧光发射峰.严重解离的藻胆体室温荧光峰位于645um,77K荧光峰位于644um,683um荧光显著下降,成为小峰.完整藻胆体与解离的及严重解离的藻胆体的吸收光谱没有显著差别,吸收峰位于622um,在580um处有一吸收肩. 相似文献
5.
本文根据两步递归插补的思想,导出了任意三维椭圆弧高速插补的公式和算法.它是空间圆弧高速插补方法在三维椭圆弧的情况下进一步推广应用.本文最后还对插补算法进行了稳定性分析和误差分析. 相似文献
7.
CH1018车上三种油管组件,系板弯件与管子搭接而成,图纸要求点焊,因设备原因采用了火焰钎焊工艺,焊后清除残留焊药一度成为一道难题,因其生产批量大,采用常规方法清除焊药,人力、物耗很大,为此一直探寻一种新工艺,即能满足其生产批量性,又可以保证生产质量,由此开发利用了钨极弧点焊工艺。 相似文献
8.
采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2,
并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1
min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48
eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺. 相似文献
9.
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