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用常规射频(RF)溅射系统,采用两步法在Si(111)衬底上制备出较高粘附性的立方氮化硼(c—BN)薄膜。沉积过程分为成核(第一步)和生长(第二步)两步,当由第一步变为第二步时,工作气体由Ar气变为Ar和N2的混合气体,衬底温度和偏压也降为较低的值。对不同生长阶段的薄膜进行了SEM、FTIR分析,对最后沉积的薄膜进行了XPS分析。结果表明:采用两步法在Si(111)衬底上沉积的c—BN薄膜内应力较之常规方法减小约11.3GPa,薄膜的B、N原子之比为1.01,c—BN的体积分数为88%,薄膜置于自然环境中6个月尚未有剥离现象。文中还讨论了c—BN薄膜的综合生长机制。 相似文献
2.
本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜(a-Ge:H和μc-Ge:H)。研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响。结果表明:衬底温度Ts<290℃,沉积出a-Ge:H膜;Ts≥290℃沉积出μc-Ge:H膜。其结构、光电性能均当Ts≥290℃时有明显的变化。 相似文献
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为改善射频溅射法制备的防水透湿涂层的外观和拒水性,对涤纶织物基底上的溅射氟碳高分子膜的泛黄问题进行了研究,采用颜色光学中测定色差的方法对泛黄程度作了定量测试,得出不同功率、工作压力和靶距与膜的泛黄程度间的关系,测试结果表明,泛黄程度随着溅射功率的增加而增加,随着工作压力的增加而减小。 相似文献
4.
采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用X射线电子能谱(XPS) 和富里叶变换红外光谱(FTIR)对样品的电子结构进行了分析.结果表明:反应气体N2 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在N2 压力为8 Pa、溅射功率为200 W 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值41% ;XPS和FTIR分析结果揭示了膜中没有自由的N原子,所有的N原子均与C原子作用形成化学键,而且C N 单键、C N 双键、C N 三键共存.膜中C H 和N H 振动模式的存在,说明沉积在Si 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力. 相似文献
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Zn0.96Mn0.04O薄膜的制备及结构、磁性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频溅射法制备了Zn0.96Mn0.04O薄膜样品,并对样品进行了结构和性能的检测,其中使用的靶材是通过标准固态反应法制备的.经过X射线衍射分析,样品均未被发现任何杂质相,都表现为纤锌矿结构.磁性测量表明,薄膜样品在室温下表现出较强的铁磁性,每个Mn离子的饱和磁化强度为1.05μB,矫顽力为0.01 T,居里温度高于400 K.分析表明,薄膜样品所检测到的铁磁性不是杂质相的贡献,而是MnZnO的内禀性质,并且生长环境及缺陷对样品的铁磁性产生了很大的影响. 相似文献
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用直流磁控溅射和射频磁控溅射共沉积在316L高速钢基体上制备了金属陶瓷复合薄膜。XRD检测表明,复合薄膜中主要以Fe-Cr相为主,并表现出较强的(110)和弱的(211)择优取向。SEM形貌分析显示,复合薄膜表面呈均匀颗粒状,断面形貌为明显的致密等轴晶结构,并具有良好的高温抗氧化性。硬度和耐磨性测试表明,复合薄膜的力学性能比316L块体的有明显改善。 相似文献
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用直流磁控溅射和射频磁控溅射共沉积在316L高速钢基体上制备了金属陶瓷复合薄膜.XRD检测表明,复合薄膜中主要以Fe-Cr相为主,并表现出较强的(110)和弱的(211)择优取向.SEM形貌分析显示,复合薄膜表面呈均匀颗粒状,断面形貌为明显的致密等轴晶结构,并具有良好的高温抗氧化性.硬度和耐磨性测试表明,复合薄膜的力学性能比316L块体的有明显改善. 相似文献
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溅射技术在制备SiC薄膜中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
近20年以来,薄膜科学得到迅速发展,不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性,可以使器件小型化,而且也得益于各种薄膜制备手段的进步.其中,溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一.广泛应用于制备超硬涂层、耐磨涂层、耐腐蚀涂层以及具有电学、光学、半导体等性质的薄膜,SiC薄膜就是其中很有发展前景的一种.本文将介绍溅射原理、薄膜制备技术,着重介绍溅射法在制备SiC薄膜中的应用和前景展望。 相似文献
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射频磁控溅射制备SiO_2薄膜及性能表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射技术,制备4种不同溅射时间的SiO2薄膜.用XRD、PL、FTIR、UV-Vis等对薄膜的微结构、发光、红外吸收以及透、反射进行表征.结果表明:SiO2薄膜仍呈四方晶体结构,平均晶粒尺寸在17.39~19.92nm之间;在430nm附近出现了发光峰,在1049~1022cm-1之间出现了明显的红外吸收峰,且随着溅射时间的增加发生红移;在可见光范围内平均透射率大于85%. 相似文献