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文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合. 相似文献
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通过集成电路各器件间的布线传递信号的过程,是将信号电荷向布线间形成的寄生电容充放电的过程。本文研究了集成电路多层连线的寄生电容模型、互连线RC树模型的延时估算等电路模拟技术,同时提出了今后该领域的研究方向。 相似文献
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提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型InGaAsP/InP激光器结构。用P-InP做衬底。 相似文献
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谭劲 《陕西理工学院学报(自然科学版)》2004,20(3):27-29
讨论了影响寄生电容电流的因素,结合实例,详细分析了寄生电容电流对控制回路影响的特点,并提出了相应的解决方法。 相似文献
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本文简要阐述了静电释放带来的各种不同类型的危害,并数量化地给出了预防这类危害的种种行之有效的设计措施。 相似文献
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沈启东 《北京工商大学学报(自然科学版)》1990,(1)
运算放大器电路中常存在寄生电容,本文分析了这些寄生电容使电路产生自激的原因及提高闭环稳定性的补偿措施。 相似文献
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耦合结构高分辨率电荷按比例缩放DAC占用面积小,功耗低,然而其互连结点之间的寄生电容影响了它的线性.介绍了耦合结构高分辨电荷按比例缩放DAC级间耦合电容值的设计方法,讨论了寄生电容对DAC精确度的影响.用两种不同的理论模型分析了电容轨迹误差对DAC精确度的影响,并在两种模型下比较了两级和传统的单级电荷按比例缩放DAC的精确度和版图面积. 相似文献
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共模电流电磁辐射(共模噪声)已成为许多现代电子产品中的主要辐射源,是产品能否通过辐射发射强制测试认证的决定因素.由于共模噪声十分复杂,所以一些文献上关于共模噪声的基本问题的分析、推断、结论等并不一致,甚至矛盾,不利于共模噪声及其抑制技术的研究与应用.本文从应用的角度出发,探讨了共模噪声的含义、特性、估算、测量等若干基本问题. 相似文献