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1.
《聊城大学学报(自然科学版)》2018,(4):37-41
GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性. 相似文献
2.
GD2000系列有一个强大的软件信息库,为控制、监测和信息查找提供服务.硬件安装,只是基础,参数设置合理才是让设备运转起来的关键.整个系统包括698个参数,下面分类简单加以论述. 相似文献
3.
4.
5.
贾海燕 《科技情报开发与经济》2007,17(33):262-263
介绍了直流大功率模拟电阻的原理,分析了直流大功率模拟电阻在计量中的运用,提出了使用9920匝比测量仪器时的接线方法。 相似文献
6.
8.
指出半导体器件是敏感器件,其表面处理工艺非常重要;结合工艺非常重要,结合工艺实践中遇到的问题,依据理论,分析了表面处理工艺对3AK32型高可靠晶体管主要参数的影响.总结了一些经过大量实验而取得的一些经验和做法. 相似文献
9.
本文将离子敏感场效应晶体管(ISFET)与药物敏感膜相结合,研制成一种药物敏感场效应晶体管传感器(DrugFET)。用四苯硼钠为电活性物质,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂,制成pvc膜,对烟碱的线性范围为1.0×10-2~2.0×10-5mol/L,斜率为57.5mv/pc,适宜pH范围为5.5~8.0,检出限为1.0×10-6mol/L。用该传感器分析烟草中烟碱的含量,结果和分光光度法相一致。 相似文献
10.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献