蒙脱石基复合光催化材料处理有机废水研究进展

半导体光催化作为一种绿色催化技术，具有广阔的应用前景。然而，到目前为止，光催化材料仍存在可见光利用率低，稳定性差，催化效率较低，难回收等问题。其中，光催化剂的负载化是解决回收与再利用的关键，也是其走向绿色应用的必由之路。蒙脱石是一种由颗粒极细的含水铝硅酸盐构成的层状矿物，在自然界中储量大、开采成本低，是一种优良的载体材料，在光催化材料中得到了广泛应用。本文系统介绍了目前蒙脱石基复合光催化材料的研究进展及其制备工艺，讨论了光催化技术在现实中的主要应用，最后对其发展前景进行了展望。     

复合跟踪微分器在电容式位移传感器中的应用

针对从含噪原始信号中提取位置以及速度信息,经典跟踪微分器存在不能很好兼顾相位滞后和噪声放大问题、参数多,调试复杂等不足.在跟踪微分器等效线性分析基础上,提出复合形式跟踪微分器,用于电容式位移传感器位置信号跟踪以及速度信号估计,通过MATLAB\SIMULINK仿真以及实验平台测试,结果表明:在跟踪频率1 Hz、幅值1含噪声正弦信号中,复合跟踪微分器能光滑逼近原始位置信号,且能有效进行速度估计,相较于经典跟踪微分器,复合跟踪微分器跟踪相位滞后小0.03 rad,能更好兼顾跟踪信号相位滞后及速度信号噪声放大.     

大学生童年受忽视经历对自尊的影响:应对方式的中介作用

为研究大学生在童年时受到忽视与自尊水平、应对方式之间的关系,采用方便抽样法,向430名学生发放童年受忽视量表、简易应对方式量表和自尊量表,使用统计软件SPSS17.0进行数据整理与分析,结果表明,大学生在童年时受到的忽视与自尊、处理应对的积极方式是负相关关系(r=-0.164,r=-0.246,P<0.01),忽视与消极应对方式呈正相关关系(r=0.152,P<0.01);自尊与大学生采用积极的应对方式呈正相关关系(r=0.398,P<0.01),与采用消极的应对方式呈负相关关系(r=-0.217,P<0.01);不同的应对方式在面临忽视与自尊之间起着协调作用,积极应对方式的协调效果有29.4%,而消极应对方式的协调效果则只有12.6%,差距十分明显。因此,大学生在童年时受到忽视与自尊、不同的应对方式会收到完全不同的协调效果。     

Ni~(26+)离子态分辨光复合过程的R矩阵理论研究

利用基于相对论R矩阵理论的DARC程序系统计算了Ni 25+离子基态1s22s(2S1/2)和激发态1s22p(2P1/2,2P3/2)的光电离截面,并通过细致平衡原理获得了统一的光复合过程(即辐射复合和双电子复合)态分辨的截面,计算结果给出了辐射复合与双电子复合过程间的干涉效应.为了标识和分析KLL共振能区所有的共振峰,基于相对论组态相互作用理论(RCI)的FAC程序被用来计算共振峰的能量、强度及其相关的双激发态的辐射、俄歇跃迁几率以及共振宽度等.利用统一的光复合截面进一步得到了KLL双电子复合过程的伴线强度,并与孤立共振近似下FAC的计算结果以及以前的理论和实验结果进行了比较,对存在的一致性和偏差进行了分析和讨论.     

以政府改革促进“大众创业、万众创新”

<正>创新成为两会"最强音"。3月5日,国务院总理李克强在政府工作报告中指出,2015年中国面临的困难"可能比去年还大",要打造大众创业、万众创新和增加公共产品、公共服务的"双引擎"。报告中,"创新"一词被提及近40次。专家委员们更是将创新视为提振经济的有效手段。2014年9月10日,李克强总理在2014夏季达沃斯论坛开幕式上的致辞中指出,今后一段时间,我们要加快转变经济发展方式,以结构性改革促进结构性调整,就要用好创新这把"金钥匙",着力推进体制创新和科技     

难治性高血压的临床诊治总结

难治性高血压治疗是常见的临床问题，积极有效地控制血压是治疗的关键。诊断采取诊室测量、家庭血压和24 h动态血压测量( ABPM)并重，互为补充的方法，尽可能寻找继发性高血压的线索，在生活方式干预的基础上，采取优化联合治疗和个体化的药物治疗方案，并介绍了介入、雷帕特降压仪、高血压疫苗等其他治疗手段，为临床工作提供指导。     

产状测量方式的空间两结构面共面性理论分析

针对空间两结构面不同产状测量方式的组合关系问题,利用向量代数和空间解析几何原理,计算出不同产状测量方式组合情形下空间两结构面的平面方程,通过比较不同方程间系数关系对结构面共面性进行了理论分析;分析了空间两结构面二面夹角的误差来源,结合结构面自身性质,利用数理统计原理给出了空间两结构面共面性判断条件.     

量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响

GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.