GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟

通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶 体管内部电势分布和载流子分布以及ＰＥＴ的端电流特性．     

选择性发射极太阳电池规模化生产技术

“选择性发射极太阳电池规模化生产技术”是国家“十五”863计划能源技术领域后续能源技术主题创新课题成果。课题目标是研究开发具有自主知识产权，能用于规模化生产的一种新型高效太阳电池技术——选择性发射极太阳电池技术，提高现有晶体硅太阳电池的光电转换效率和生产效率。     

选择性发射极太阳电池的制作

文章提供了一种一次扩散制作选择性发射极太阳电池的方法，并利用该方法制作了选择性发射极太阳电池。这种方法所制得的选择性发射极太阳电池比用同种硅材料制得的常规BSF太阳电池具有较大的优势：在氧化工艺后，其少子寿命比常规BSF太阳电池的高，其平均光电转换效率也高出0．6个百分点左右，而其短波段的光谱响应优于常规BSF太阳电池。最后指出了这种方法可以实现选择性发射极硅太阳电池的工业化生产。     

多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型

对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层。通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。     

新结构多晶硅发射极光电晶体管

报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光晶体管，用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增提高了２倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度，已研制成的这种新型结构的光电晶体管在１０Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，０．１７４μＷ的光增益达到了３８３。     

晶体管发射极势垒电容CTe的测试及数据处理

本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｃ的原理，测度子３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｃ并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合，Ｋ在２－３之间。     

低成本选择性发射区太阳电池的制备和特性

运用Matlab软件，在电池能量损耗最小前提下，对选择性发射极（Slective Emitter，SE）电池的栅线间距和宽度进行了模拟计算.在理论计算指导下，在国产化设备的太阳电池生产线上，采用印刷技术实现选择性磷源涂覆和扩散，并制成电池，通过电化学测试、伏安曲线、量子效率（Quantum Efficiency，QE）等检测分析，初步发现，印刷涂覆的SE太阳电池输出特性优于常规工艺制备的电池，转化效率提高约1%.