YBaCuO双晶结的Josephson效应

优质的约瑟夫森结的制备不仅对研究高 T。超导体及其弱连接的物理特性,而且对于趣导电子学的应用方面都有着重要的意义,然而由于这些氧化物超导材料的相干长度很短,且各向异性,这给弱连接的制备造成了很大的障碍.近来许多种类的高 T_c 结的研究都有了较大的进展.本文报告了在双晶衬底上外延生长的 YBa_2Cu_3O_7薄膜所成的晶界结的约瑟夫森效应研究.双晶结的制备包括三个过程:(1)衬底的烧结;(2)YBa_2cu_3O_7,薄膜的淀积;(3)图形的制备.双晶使用两块(001)轴平行,(100)轴具有一定夹角的钇稳定氧化锆(YSZ)加压烧结而     

X射线衍射分析的实验方法及其应用

概要介绍了X射线衍射分析的原理及其相关理论，总结了X射线衍射的各种实验方法，对X射线衍射分析的应用分别进行了叙述，最后对X射线衍射分析的发展进行了展望。     

Si上Ge薄膜特性研究

为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.     

水平与垂直晶界铜双晶的压缩形貌观察与分析

为了研究晶界方向对铜双晶塑性变形的影响,采用扩散焊方法制备了双晶铜块,通过压缩试验台对水平和垂直晶界方向下的铜双晶进行等形变压缩,对晶界附近变形形貌进行显微观察与分析.结果显示:不同晶界方向对铜双晶的滑移变形有不同的影响;在等压缩形变下,相比于水平晶界双晶体,垂直晶界双晶体滑移线的分布和扩展比水平晶界双晶体的更不均匀,垂直晶界双晶体中晶界附近的应力集中程度更高;垂直晶界双晶体滑移线扩展不连续且有波动性,且孔洞和裂纹数量多于水平晶界,孔洞和裂纹的产生和分布位置更集中于滑移线上或临近滑移线的某一侧.     

高温超导双晶结dc SQUID的I～V特性仿真研究

根据dcSQUID等效电路理论推导出描述dcSQUID特性的方程组,采用Matlab仿真工具软件对对称型高温超导双晶结dcSQUID进行仿真研究。仿真研究表明dcSQUID的输出电压是外磁通的周期性函数,其周期为一个磁通量子0。仿真研究的结果还为制备dcSQUID时,器件各参量的确定提供了有力的依据。     

从断层岩中方解石的{01■2}双晶及主晶光轴探讨小关冲断层的主应力方位

本文根据特纳提出的方解石双晶纹动力学分析原理及方法,利用宝兴龙门山北东向断裂带小关冲断层岩中的方解石光轴及{01■2}双晶,建立了主压应力轴σ_1(C轴)、主张应力轴σ_3(T轴)方位,得出的平均方位是,σ_1 127°∠39°,σ_3 309°∠47°,和野外地质调查结果基本吻合。