无损耗电阻器的设计方法

利用超导线圈的纯电感器可以模拟成无损耗电阻器，这种新型器件在性能上与电阻器相似，但不产生功率损耗。本文提出了一种用双线性变换法设计无损耗电阻器的方法，并对无损耗电阻器的实现与控制进行了论述。     

聚电解质在压敏显色微胶囊原位聚合法中的应用

在以三聚氰胺—甲醛树脂为壁材,用原位聚合法合成压敏显色微胶囊时,聚电解质是必不可少的.文中的聚电解质MS是由马来酸酐和苯乙稀共聚合成,它的大分子碳氢主链以多羧酸和多芳基取代为特征.在胶囊化过程中,聚电解质MS通过电荷效应,使能生成胶囊壁材的三聚氰胺—甲醛预缩体聚拢在胶囊核心的表面,进行原位聚合,所生成的不溶性产物逐步固化为壁材.阐述了该聚电解质的乳化、稳定、催化和定位效应,以及不同马来酸酐—苯乙烯合成比的聚电解质对于微胶囊颗粒大小、气密性、包容量和显色性的影响.     

ZnO－Bi_2O_3－Sb_2O_3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构．除通常的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相．分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢａＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂ２Ｏ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的数量则减少．同时还发现，晶界层中组分及结构的这种变化，使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善．     

ZnO压敏陶瓷中富Ba晶界相的生成与控制

已知在通常的ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系陶瓷中,加入Ba添加剂,由于Ba离子半径大而易偏析于晶界,故能进一步改善其非线性性能,但近来对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷的研究则发现,在一定的条件下,Ba离子不仅只是偏析于晶界,而且形成富Ba的新晶界相,经分析为偏锑酸钡(BaSb_2O_6)相;由氧化铋(Bi_2O_3)、尖晶石(Zn_(2.33)Sb_(0.67)O_4)、偏锑酸钡组成的晶界相,改变了通常的压敏陶瓷中晶界相的结构、组分和性质,从而影响及晶粒间的界面性质和界面处的肖特基势垒;当这几种晶界之间有适当比例时,能显著地改善压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性.对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系陶瓷在烧结过程中晶相的生成已有报道.本文对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷中,偏锑酸钡相的生成过程及影响因素进行讨论;在发现常用的SiO_2,Cr_2O_3添加剂对偏锑酸钡相生成有重要影响的基础上,对这种影响的机理进行分析,所得到的一些实验结果,对压敏陶瓷制备过程中添加剂及工艺参数的控制会有重要的指导作用.1 材料与方法实验试样除主成分ZnO外,Bi_2O_3,Sb_2O_3,BaCO_3添加剂(各自在0.2～1.5 mol%范围内调整)作为基本成分加入,另外还有其他改性添加剂,原材料均为化学试剂纯度,制备三组试样(表1),A组试样不含SiO_2和Cr_2O_3,B,C组在     

压敏显色微胶囊的合成及性能研究

本文应用原位聚合方法,并以部分醚化的六羟甲基三聚氰胺(简称PEHMM)作为缩聚反应的单体,在含有聚电解质的水溶液中合成压敏显色微胶囊。文中对压敏显色微胶囊的气密性,包容量,胶囊粒径分布及其平均粒径等性能的影响因素作了探讨,指出PEHMM的用量和加入方式是影响胶囊气密性和包容量的主要因素,而均化时间和速度决定着胶囊的平均粒径及粒径分布。     

ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究

ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理，使氧离子Ｏ－或Ｏ２－吸附于晶界层内并有利于提高ＺｎＯ性能稳定性     

国外期刊亮点

正科学家制成新型小巧高阻电阻器伦敦纳米技术中心的研究人员为量子电路制作出一种新型小巧的高阻电阻器,可使用于量子相位滑移电路(QPS)中。研究成果发布在12月14日的Journal of Applied Physics上。研究人员使用雾化喷射沉积技术制作氧化铬薄层电阻。他们发现通过控制薄层中氧原子的成分浓度,能够调节氧化铬薄层的电阻,氧原子的成分越多,电阻阻值就越高;从而使用氧化铬的复合物制作出具有高     

电子元器件的检测方法探讨

电子元器件是构成电子产品的基本部分,是电子产品实现功能和安全的设备与体系基础,电子行业将电子元器件的质量看做是行业的生命,在市场经济体系下,加强电子元器件检测工作成为行业的必然需要。该研究从常见的电子元器件介绍入手,描述了电子元器件的基本特征,对电子元器件常见的软件故障、损坏、电路开路进行了分析,提供了具有针对性的电子元器件检测方法,以期实现电子行业中电子元器件检测工作水平的全面保障和提升。