大尺寸单晶金刚石同质连接技术

介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。     

硒铟镓银多晶材料的合成研究

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.     

反应气压对生长金刚石膜的影响

实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响.     

金刚石薄膜的制备及其性能研究概述

金刚石薄膜是工业界继高温超导材料之后的又一研究热点，近年来的研究工作已经取得了重大进展。文章对国内外学者在金刚石薄膜的制备、特性、生长机理以及摩擦特性等方面的研究进行了综合论述，以推动国内外金刚石薄膜基础研究和应用的发展，并提出要重视金刚石薄膜在摩擦学领域中的应用研究，使之为人类社会带来巨大的经济效益。     

强直电流伸展弧CVD硬质合金金刚石涂层工具

采用自行研制的强电流直流扩展电弧设备对酸浸和渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石薄膜涂层沉积，并对放于不同位置的沉积刀片表面涂层的激光Raman谱和SEM形貌进行了分析、研究。结果表明：渗硼预处理工艺优于酸浸预处理工艺；在渗硼处理的GY6刀片上，沉积的金刚石薄膜涂层具有大面积、均匀性好和质量高的特点。     

静态法合成高品级金刚石工艺探析

通过调整合成温度和合成压力曲线，使金刚石的单产提高了11％。46＃以粗高品级金刚石所占的比例由原来的29％提高到51％，金刚石的抗压强度也有较大程度的提高。在合成过程中，保证合成点始终在金刚石生长答的优晶区内，是合成高品级金刚石的关键；根据人造金刚石的合成 机理，对试验结果进行了分析。     

直流电弧等离子体射流法沉积金刚石薄膜

金刚石以其卓越的理化性能而受到人们普遍重视。近年来兴起的低压气相合成法,为金刚石在各领域中的更广泛应用提供了光明的前景。但诸多种低压合成法的不足之处在于金刚石的沉积速率还比较低,在某种程度上限制了它的应用范围。直到80年代末,才在日本出现了一种高速沉积金刚石薄膜的方法,就是直流电弧等离子体射流方法,其沉积速率比其它低压法要高几倍到几十倍。