高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

极板上半圆柱形凸起对高压电容器性能的影响

分析了柱形导体对均强电场的影响并以此为依据说明了有柱形凸起的高压电容器易击穿的原因是最凸部场强为远离凸部场强的 2倍。     

小型水电站电气自动控制设备合理设置刍议——降低小水电造价的有效措施之二

本文综合介绍了在我国农村小型水电站建设中,直流电源和交流电源的使用情况,自动化控制设备的设置和使用情况,小型水轮发电机励磁系统的设置和性能比较,并据此提出如何合理设置小型水电站的操作和保护电源、电气自动化控制设备和小型水轮发电机励磁系统的选择,在保证小型水电站安全可靠运行的前提下尽量简化这些设备的设置,以降低小水电的造价。     

激光诱导击穿光谱结合化学计量学的淫羊藿产地快速鉴别

淫羊藿具有增加心脑血管血流量,促进造血和增强免疫功能等功效.淫羊藿的药效受产地的影响,为确保其质量,需对淫羊藿产地进行快速鉴别.为此,采用激光诱导击穿光谱(Laser-induced breakdown spectroscopy,LIBS)结合化学计量学方法对淫羊藿产地实现快速准确鉴别.通过获取6个产地淫羊藿样品的LIBS光谱数据,对比研究两种光谱数据降维方法,基于主成分分析(Principal component analysis,PCA)的特征提取和基于原子光谱数据库的特征谱线选择,并结合线性判别分析、k近邻、随机森林(Random forest,RF)和支持向量机(Support vector machine,SVM)4种机器学习算法,实现不同产地淫羊藿样品的鉴别,最终建立产地溯源算法模型.在PCA可视化中,相同产地淫羊藿样品的光谱数据具有明显的聚类效果.开发的模型均能够实现淫羊藿产地的准确鉴别,其中PCA-SVM模型的分类效果最好,测试集分类准确率为99.17%.此外,采用RF模型计算所选元素谱线的重要性,结果表明Si元素(SiⅠ251.61 nm)是区分不同产地淫羊藿的最重要...     

FP—JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响

提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响,结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系,场板可减弱击穿电压注入剂量的第三性。     

高耐压PTC陶瓷的制作

采用严格的陶瓷制作工艺,选择合适的配方,利用化学纯原料,制了出了不同掺杂的ＰＴＣ陶瓷并进行了比较,得到了耐压值高于２２０Ｖ／ｍｍ的良好的ＰＴＣ陶瓷。     

壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响

用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难.     

终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响

为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD.基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(LFP)和绝缘层厚度(TFP)及GaN漂移区掺杂浓度(ND)条件下仿真了器...     

气体开关管稳态击穿特性的仿真研究

TR管在带内保护性能良好,而在带外其泄漏却大大增加。这一现象可能为高功率微波对雷达前端的攻击提供了新的机会,也对雷达的保护提出了新的挑战,本文在此基础上介绍了雷达接收机用气体开关管（TR管）结构和工作击穿机理。在输入连续波和单脉冲情况下,理论近似计算了TR管击穿场强和响应时间,给出了相应的表达式。另外通过仿真软件MAGIC,分析了TR管在输入连续波功率下的泄漏功率。