不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响

利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.     

衬底温度对ZnCoCuO蒸镀膜结构和性能的影响

用X射线衍射方法分析了在Si(001)衬底上电子束蒸镀制备的Zn0.84Co0.15Cu0.01O薄膜的结构特征,测量了薄膜的磁性质,研究了衬底温度对薄膜晶体结构及磁性能的影响。实验发现,衬底温度在350～500℃的范围内,薄膜都具有室温铁磁性,而且在(002)晶面取向有极大值,饱和磁化强度和剩磁随衬底温度增加近于单调减小。     

一种基于高维空间凸面单形体体积的高光谱图像解混算法

基于三角形中一个简单的含量与体积比的关系:三角形ABC内的任何一点P与三角形任意两个顶点(比如B,C)构成的面积PBC与整个三角形ABC的面积之比即为另一个顶点A在P中的含量.将其推广并且严格证明了上述规律对于高维空间中凸面单形体仍然成立.基于上述结论,对在Cuprite获取的AVIRIS数据进行了光谱解混的实验验证,取得了良好的实验效果.     

LED专利发展分析

随着LED行业的迅猛发展，各国研究人员申请了大量的相关专利，这些专利覆盖了从上游衬底材料、外延材料工艺、芯片制备、芯片封装、LED模组、散热结构、驱动电路、产品应用等全部产业环节。本部分LED专利发展分析以专利为切入点，从LED专利申请的时间态势、地理区域、IPC分布、专利类型、专利强度以及LED产业链各环节核心技术专利等不同视角，对全球、全国、全省的LED专利发展情况进行纵横开阖的对比分析，并根据广东LED产业发展的现状，给出若干建议。     

A THEOREM ON THE CONVEXITY OF PLANAR PARAMETRIC CURVES OF DEGREE N

The main result of this paper is a theorem about the. convexity of curves of degree n on a plane. As its application ,we obtained a sufficient condition that a space curve of degree n in R3 has no singularity points and staying points.     

X射线衍射研究(001)MgO单晶上外延生长GdBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜的晶格相互关系

磁控溅射法在SrTiO_3单晶衬底上外延生长的YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜有很好的轴向晶格匹配。Zr(Y)O_2单晶衬底上YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜,由于膜和衬底的晶格常数失配较大,外延生长不是轴向晶格匹配,而是膜晶体绕c轴旋转45°后,实现与衬底的[110]方向晶格     

衬底温度对射频溅射a—Ge：H薄膜光电性能的影响

本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜（ａ－Ｇｅ：Ｈ和μｃ－Ｇｅ：Ｈ）。研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ＜２９０℃，沉积出ａ－Ｇｅ：Ｈ膜；Ｔｓ≥２９０℃沉积出μｃ－Ｇｅ：Ｈ膜。其结构、光电性能均当Ｔｓ≥２９０℃时有明显的变化。     

衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响

在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构性能的影响。结构表明随着衬底温度从２４０℃升高到３２０℃，薄膜的晶态率从２４％增大为６５％，平均晶粒尺寸从６ｎｍ增大为１０ｎｍ。当衬底温度≤２００℃时，生成薄膜为ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。     

高温超声衬底台阶结研究

本文报导用Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２外延超导薄膜在ＬａＡｌＯ３补底上研制的台阶结及其特性，在液氮温度下，当台阶结受到９．２０ＧＨｚ的微波辐照时，从Ｉ－Ｖ曲线上可以观察到第九级夏皮诺微波感应台阶、在液氮温度下，台阶结的临界随外磁场的变化较好地附合夫琅和费衍射关系。