排序方式: 共有18条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1.
采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800V、抽取电压为0V的条件下,发射电流密度为1.27A/cm^2;当抽取电压增加到4kV时,获得了1700A/cm^2的大发射电流密度. 相似文献
2.
微型永磁体冷阴极潘宁源的性能及应用 总被引:2,自引:1,他引:1
一台用于材料改性和分析测试离子加速器,为了提高离子束能量。新设计安装了微型永磁体冷阴极潘宁离子源,对该源的性能和应用进行了研究。 相似文献
3.
电子镇流器的研制是CCFL电光源产业化的关键.论文阐述了基于半桥驱动芯片IMP3521开关电路的设计,分析验证了变压器漏感镇流电路的等效模型,探讨了灯管异常保护电路的设计.针对照明CCFL灯管的电气特性,采用高集成度的IMP3521和变压器漏感镇流技术,设计了一种高性价比的电子镇流器. 相似文献
4.
采用离子注入和快速退火法可制备Si浅p-n结阵列,通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Si浅p-n结雪崩冷阴极,其最高电子发射效率为16%。本文介绍阵列式Si雪崩冷阴极的制各方法,给出了Si冷阴极的雪崩电子发射特性,讨论了影响发射稳定性的主要因素。 相似文献
5.
本文简要介绍了平板显示器的发展趋势;比较了几种平板显示器的性能;对于场发射平板显示器的发展前景进行了展望。 相似文献
6.
我国是世界上平板电视生产和消费的大国,也是该用能产品利用效率较低的国家之一。提高平板电视能源利用效率,发展节能技术已经成为我国能源发展的当务之急。目前,随着全球对家电产品节能要求的不断提高,大量的白色家电(空调、冰箱、洗衣机等)已制定能效限定值及能效等级。作为家电中重要组成部分的平板电视,其能效标准也在2010年完成了制定。本文将围绕液晶电视能效的关键技术展开研究,深入探讨液晶电视能耗的构成及能效提高的方法,为液晶电视的节能降耗提供技术参考。 相似文献
7.
冷阴极电离真空规是一种应用得极为广泛的高真空量具,但目前已有的各种设计(Penning式或Redhead式)都必须附有一个较强的磁场,因而在使用上带来很多不便。本文提出一种新型的、不同于现有结构的无磁场冷阴极电离真空规。它的工作原理可简述如下:规管内装有二块平行板电极,并加以高频电场。这种电极受到任何来源的电子轰击时将产生次级电子,而在电极发射的次极电子满足下列两个条件时: (1)谐振条件——电子渡越两平行平板电极的时间为高频电场半周期的奇数倍; (2)能量条件——电子在高频电场的作用下轰击电极表面的能量达到使此材料的次级电子发射系数大于1,就能引起放电。在放电过程中单位时间内形成的正离子数是和这空间气体分子的密度有关的,因此测量正离子流就可以指示相应的气体压强。本文叙述了新型规管的详细结构、作用和工艺,以及全部电源供给和测量电路。还讨论了规管各电极的电参量特性以及如何选择适宜的工作点。对于我们给定的规管结构和电参数所是的校准曲线在压强为10(-3)~10(-6)乇范围内具有很好的线性。这种新型的设计具有一般冷阴极电离真空现的全部优点,此外还无需磁场和高压电源。实验还证明它的放电触发时间仅为数十微秒。 相似文献
8.
9.
制成高电子发射效率的稳定可靠的冷阴极是使真空微电子器件得以实现的关键.本文报导了硅超浅PN结雪崩击穿式冷阴极的结构和工作原理以及电子发射的测试结果. 器件结构和工作原理冷阴极的基本结构如图1所示,图1中中心P~+N~(++)区是电子发射有源区.N~+环区为接触区.P~+和N~(++)区分别由硼和砷离子注入形成.硼注入条件为25 KeV,1.5 E13cm~(-2)+60 KeV,1.5 E13cm~(-2).硅片在B~+注入后放入900℃氮气中退火1小时,使硼离子得到有效激活.砷注入条件为10~ 相似文献
10.
纳米碳管阴极的场致发射显示研究 总被引:6,自引:0,他引:6
以热化学气相沉积法制备的多壁纳米碳管为场发射材料 ,采用一种简易的喷涂法将其制备为场发射阴极 .首先 ,将纯化后的纳米碳管与乙醇和丙酮溶液 (体积比为 9∶1 )进行混合 ;然后用喷枪将经过超声处理的悬浊液喷涂在具有ITO薄膜的玻璃基底上 ,制备了 30mm× 2 0mm大小的纳米碳管阴极 ,并进行了场致发射特性实验 ,制作了场发射显示板 .该二极结构的场发射开启场强为 3 2V/ μm ,发射电流密度可达 3A/m2 .此显示板具有稳定的发射电流和很高的亮度 ,可望应用于大屏幕显示 相似文献