量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响

GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.     

含F2223相铋系超导体的光电子谱

发现Bi系超导体以来,用X射线光电子谱XPS对其成键与电子结构等性质的研究已有不少报道。Kokiki等由XPS测量结果讨论了Bi,Sr,Ca在晶体中的分布及其性质,Kishia等由XPS指出,无论在Bi-Sr-Cu-O,(Bi,Pb)-Sr-ca-Cu-O或Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体中,Cu2p~(3/2)束缚能不变,但Sr3d~(5/2),O_(18)的束缚能E_b随上述体系不同而发生变化。掺稀土的Bi系XPS,近来也有研究报道。     

改善a-Si太阳电池界面特性的新方法

本文介绍一种用非晶金属硅化物改善a—Sipin太阳电池TCO/p界面特性的新方法.文章中详细讨论了载流子的传输模型并给出了一系列的实验数据.利用这种方法,用单反应室等离子体CVD装置使a—Si电池的短路电流提高了10%以上,并已获得10.6%的转换效率.     

大尺寸YBa2Cu3O7—δ超导体的研制

利用固相反应法成功地制备了直径为100mm,厚为5mm的大尺寸YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体。在通氧,930℃热处理45min后,超导体的上限转变温度为94K,零电阻温度为92K。x射线衍射进行物相定性,扫描电镜进行形貌和超导电性关系的对比观察。选区电子衍射给出YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体的晶格参数为a=0.348nm,b=0.377nm,c=0.716nm,属于正交晶系。     

Bi2Sr2CaCu2Ox晶格振动模式的群论分析

利用群论分析方法对Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｘ正交晶系简正模进行了详细分析，预测了该超导体系的红外吸收峰和拉曼吸收峰的数目，为在实验上晶格振动光谱分析提供了理论依据。     

HoBa2Cu3Ox的超导电性

通过交流磁化率和X-ray衍射分析，对用固态反应法制备的HoBa2Cu3Ox超导体的超导电性进行了研究．实验结果表明：随淬火温度的升高．由正交相(123相)向介于正交和四方相之间的过渡相变化；超导转变温度Tc(0)(零场下)从90K降到38．5K；交流磁化率虚部峰值温Tp(H)随附加直流磁场的增加而降低，Tp与Hdc之间的关系偏离[1一Tp(H)／丁(0)]∞H^2/3规律．