三芳基镓与α,β--不饱和酮反应的研究

报道了三芳基镓与α,β－不饱和酮反应生成相应的芳酮,反应条件温和,产率达７０％－８０％,并用元素分析,ＩＲ和＾１ＨＮＭＲ对产的结构进行了表征。     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。     

络合吸附法提取镓的研究

提出一种富集和提取镓的新方法——吸附沉淀法．在一定的试验条件下，使单宁和镓生成有色的单宁．镓络合物，利用活性炭吸附有色络合物，把单宁一镓络合物吸附到活性炭上，过滤分离，灼烧滤渣，得到了含镓量较高的灰分，实现了镓的分离、富集和提取，回收率达到99％以上．     

碱性溶液中次亚磷酸根离子在铂和镍电极上氧化的比较

用SNIFTIRS和循环伏安法研究0．1mol/L Na0H溶液中次亚磷酸根离子在铂和镍两种电极上的电氧化行为．结果表明次亚磷酸根离子在两种金属上的氧化明显不同，在Ni上氧化产物是HP03^-，在Pt上电位较负时氧化产物是P03^2-，而电位较正时产物是P04^3-．讨论了在两种金属上次亚磷酸根离子氧化反应的差别和相应的可能机理。     

含镓层柱材料在β-甲基萘歧化反应中的催化行为

制备并表征了含镓层柱材料，考察了氧化铝和氧化镓交联皂石对β－甲基萘歧化反应的催化行为．结果表明：β－甲基萘以异构化反应为主．活性与酸量、选择性与酸性有很好的对应关系．氧化铝交联镓皂石较氧化钦交镓联皂石的活性高，歧化选择性亦高而异构选择性低．     

钒（V）——荧光镓极谱络合吸附波的研究

在ｐＨ６．０的ＫＣｌ底液中，钒（Ｖ）－荧光镓（ＬＭＧ）配合物产物－灵敏的极谱吸附波，峰电位在－０．８６Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），二次导数峰度与钒（Ｖ）浓度在３．９×１０＾－９～３．９×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，检测限为２．０×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ，研究了电极反应机理，方法已成功应用于自来水中钒的测定。     

新型层柱微孔材料ZnAl—GaW9M3的合成,表征及催化活性研究

采用水热合成与离子交换方法合成了不同过渡金属三取代的Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多阴离子ＧａＷ９Ｍ３（Ｍ＝Ｆｅ３＋、Ｃｕ２＋、Ｃｏ２＋、Ｚｎ２＋）柱撑粘土．元素分析、ＸＲＤ和ＩＲ对产物的组成和结构测试表明，杂多阴离子被嵌入粘土层间后仍保持原有的Ｋｅｇｇｉｎ结构，而粘土的层间距却从０．８９ｎｍ增大到１．４６±０．０１ｎｍ．ＥＳＲ结果则表明ＧａＷ９Ｃｕ３进入层间后，由于层板的影响，ＣｕＯ６八面体中的ＣｕＯ键的离子性有所增强．催化实验显示柱撑粘土对合成邻苯二甲酸二辛酯（ＤＯＰ）的酯化反应具有较高的催化活性     

一种测量电光旋光晶体La3Ga5SiO14电光系数γ11的新方法

从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究,应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态,推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件,利用旋光晶体电光系数γ_(11)与施加电场的电压V和晶体角度α的关系,通过实验,测量了La_3 Ga_5 SiO_(14)晶体电光系数γ_(11)为2．2×10~(-12)m/V．