原初连续功率谱宇宙模型下暗物质晕的质量函数

最近的宇宙学观测结果给出了一个具有原初连续谱功率指数(RSI-CDM)的ΛCDM冷暗物质宇宙模型,而不是标准的尺度无关谱(PL-CDM).基于这个结果,应用半解析近似,对Jenkins et al(J01)质量方程进行了研究,同时在各个连续谱指数暗能量宇宙学模型下计算出这些模型对应的宇宙中最大暗物质晕的位里质量.结果表明,PL-CDM和RSI-CDM宇宙学模型在低红移处有微小差别.与PL-CDM相比, RSI-CDM在低红移处小质量暗晕的质量丰度较大,但在大结构质量晕中两者差别不明显, 而且这个差异随着红移降低而增大.RSI-CDM在高红移处压低了任何尺度的暗晕质量丰度.关于最大位里质量,平坦空间ΛCDM宇宙学模型在PL-CDM和RSI-CDM都给出更多大质量天体.因此,对PL-CDM和RSI-CDM功率谱模型,都可以用最大位里质量来区别不同的宇宙学模型.     

面向动态精密测微的误差修正技术

本文阐述在精密测微时，对采样数据进行误差修正，可减小或消除随机误差影响，提高测量精度。     

石油污染对真鲷幼体中超氧化物歧化酶和过氧化氢酶的毒理效应

研究了在实验生态条件下,不同浓度可溶性０＃柴油的暴露对真鲷幼鱼内脏组织超氧化物歧化酶（ＳＯＤ）和过氧化氢酶（Ｃａｔ）活性的影响．实验结果表明：ＳＯＤ酶活性对于油污染胁迫呈现出明显的剂量－诱导效应关系．在同一剂量溶度作用下,延长暴油时间,能诱导鱼体内ＳＯＤ酶活性,抑制Ｃａｔ酶活性．当污染胁迫解除后,其幼体内脏组织中的ＳＯＤ酶和Ｃａｔ酶活力均得到不同程度的恢复     

贵屿表层土壤中多溴联苯醚的水平与儿童健康风险

在广东省贵屿镇采集了12个地点的表层土壤样品, 测定了其中14种多溴联苯醚(polybrominated diphenyl ethers, PBDEs)同系物的含量. 结果表明: 该地区已受到了PBDEs 的污染, PBDEs 浓度在76.5～13 354.0 ng/g干重之间, 远高于国内外其他地区. BDE209 为最主要的同系物, 其次为BDE47, BDE99 和BDE183, 说明该地区污染主要源于十溴工业品, 其次为五溴和八溴工业品. 通过总日摄入量和日吸收量来评估儿童通过土壤暴露PBDEs 的量, 并采用非致癌危险商数(hazard quotient, HQ)对其带来的风险进行评估. 结果表明: 通过皮肤接触和口服暴露的PBDEs 的平均日摄入量分别为31.1～5 430.0 和7.7～1 335.0 ng,皮肤接触摄入是其暴露人体的主要途径; 若考虑到吸收率, 则平均日摄入量降到0.3～54.3 和1.3～184.0 ng, 口服摄入是其主要暴露途径. 在两种情况下, HQ 值均小于1, 表明土壤中的PBDEs 并不会给当地儿童带来显著的非致癌健康风险.     

降低人体摄入砖茶氟含量的技术措施

茶叶是一种聚氟的植物,新梢成熟度越老,氟含量越高,由于砖茶的原料相对来说比较老,所以氟的含量比一般的茶含量高许多．本文从降低砖茶的氟含量的技术措施和改良饮用砖茶习惯两大方面论述了怎样降低人体摄入砖茶氟含量．     

六辊UC轧机混沌动力学模型的暗线方程与MSS序列分析

对东北大学轧制技术与连轧自动化国家重点实验室六辊UC轧机动力学模型的混沌特性进行深入研究,针对模型的混沌特性,应用符号动力学对模型的相图、分叉图、暗线方程以及MSS序列进行了分析,给出该模型不稳定轨道和混沌参数区间的确定方法,解决了该模型混沌OGY控制的2个基本问题·     

无暗电平信息的高速CIS的视频采样设计

传统光电传感器CISCIS（ Contact Image Sensor）和 CCD（ Charge Coupled Device）具有统一的视频输出信号格式,此信号格式可以采用相关双采样的方式进行模数转换以消除低频噪声,从而获取清晰的数字图像。新近推出的高速CIS,为了提高像素输出速度,在像素信息中去掉了暗参考电平的信息,不能直接使用通用视频AD芯片对其进行处理。针对这款新型的高速CIS进行电路设计,调整了CIS的输出信号,依然使用通用视频AD进行模数处理;同时,根据相应的信号调整完成软件一致性校准的设计,最终获取满意的数字图像。     

非相干作用下暗孤子对的解析解

从描述非相干暗孤子对传输特性的耦合非线性薛定谔方程出发,给出其Lax对,运用Backlund变换导出了两非相干暗孤子解的表达式,然后作图讨论了两孤子能量的变化特性.研究结果表明传输过程中两孤子的能量在时间和空间上都出现周期性的振动.     

离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究

选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .