一种新型双层PBG结构带阻滤波器

本文介绍了一种双层结构的基于村底打孔的PBG结构带阻滤波器，采用了周期结构与微带电路分离的设计。解决了传统的打孔结构的导带加工问题，并且有利于电路的加工和修改。最后给出了利用HFSS理论仿真和实际测量的结果，论证了这种结构的可行性     

用变分法计算介质覆盖微带线的特征阻抗和有效介电常数

本文介绍了采用变分法计算介质覆盖微带线的特性阻抗和有效介电常数的方法．计算结果与文献中的实测值一致．     

小波纹PBG微带线

提出了一种新型的50-ΩPBG结构微带线.该PBG结构的制作是周期地改变金属导带的宽度,此种PBG结构的阻带宽且深,同时通带的波纹较小,与在金属导带或金属接地板上刻蚀周期性方孔的PBG微带线相比,该新型PBG结构的S参数特性较好.这种新型PBG结构的仿真结果得到了实验的证实.     

防护线端接方式对抑制串扰性能的研究

高速电路设计中通常采用保护线来减小平行微带线间的噪声干扰,不恰当的防护线端接方式使其变成新的噪声源会增加微带线间的串扰。本文从带防护线的微带线的等效模型出发,研究了防护线不同端接方式对串扰抑制性能的影响,利用ADS软件在开路、短路、匹配和接地四种端接方式下防护线对干扰的抑制效果。结果表明：采用终端短路的防护布线可以在频段800MHz以下有较好的抗串扰性能;在1GHz以上频段可以采用接地孔连接到地的防护线,孔间距要满足临界条件     

基于分形特征的DGS微带线传输特性分析

缺陷地结构(defected ground structure,DGS)微带线的电磁散射特性取决于缺陷图形的几何特征和导波媒质等因素,因此缺陷图形设计是DGS微波电路设计的关键因素之一。提出一种新颖的DGS微带线。通过有限元法对不同Hilbert曲线宽度和长度的DGS结构微带线进行计算,计算结果表明,该结构在0~9 GHz频段内表现出2.43 GHz和7.11 GHz这2个谐振频率,对应频率的通带反射损耗低于-15 dB,并且阻带特性在谐振频率处比传统DGS微带线有更高的Q值。当Hilbert曲线宽度固定为0.2 mm时,其谐振频率和对应频点的Q值均与曲线长度成反比,最大达123.75;当Hilbert曲线长度固定为1.0 mm时,其谐振频率与曲线宽度成正比,而对应频点的Q值与曲线长度成反比,最大达146。     

一种新颖的缺陷接地结构带通滤波器

提出一种新颖的三角形缺陷接地结构(DGS)微带线单元,分析了该结构的阻带特性,建立了该结构单元的等效模型,提取了电路参数。最后将该DGS结构应用于紧凑结构带通滤波器的设计,HFSS仿真结果表明:在3～7GHz的频率范围内,这种新颖的DGS结构的BPF比传统BPF的阻带更宽,验证了所提结构的有效性和可行性。     

微带多耦合SIR带通滤波器的设计

基于微带SIR的特性,提出了一种紧凑的微带多耦合带通滤波器结构,介绍了通过控制微带SIR谐振器的阻抗比值来调整二阶通带中心频率的位置,从而实现二阶杂波抑制和改善滤波器上边阻带衰减特性的原理.最后设计了一个中心频率为3.65 GHz,分数带宽约为3.5%的微带多耦合SIR带通滤波器,仿真表明其频率响应在1阶杂波频点处有-10 dB左右的衰减,使得滤波器在上边阻带的衰减更陡峭,通带更对称.制作的电路在中心频率处的插入损耗测试结果为-3.2 dB,带宽大约为120 MHz,和仿真结果比较一致.     

基于分形特征的DGS微带线传输特性分析

缺陷地结构(defected ground structure,DGS)微带线的电磁散射特性取决于缺陷图形的几何特征和导波媒质等因素,因此缺陷图形设计是DGS微波电路设计的关键因素之一.提出一种新颖的DGS微带线.通过有限元法对不同Hilbert曲线宽度和长度的DGS结构微带线进行计算,计算结果表明,该结构在0～9 GHz频段内表现出2.43 GHz和7.11 GHz这2个谐振频率,对应频率的通带反射损耗低于-15 dB,并且阻带特性在谐振频率处比传统DGS微带线有更高的Q值.当Hilbert曲线宽度固定为0.2 mm时,其谐振频率和对应频点的Q值均与曲线长度成反比,最大达123.75;当Hilbert曲线长度固定为1.0 mm时,其谐振频率与曲线宽度成正比,而对应频点的Q值与曲线长度成反比,最大达146.     

基于有限差分法的微带线参数求解

微带线各种参数的计算在其设计和制造过程中具有极为重要的意义和价值。本文给出了微带线参数计算的有限差分法的仿真流程．实现了密封微带线中二维电位分布的有限差分计算,并得到了可视化结果。最后给出了电容、特性阻抗及行波速度的数值计算结果。     

交叉指电容的计算机辅助设计

本文用矩量法（ＭＯＭ）准确分析了单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）中一种常用电容元件──交叉指电容（ＩＮＴＥＲＤＩＧＩＴＡＬＣＡＰＡＣＩＴＯＲ）的静态电容矩阵之后，再利用耦合微带线（阵）理论计算了其等效电感和损耗电阻，从而得到其Ｓ参数，经文献验证和实验验证，所得结果准确。