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1.
2.
复合扩散SrTiO3基半导体陶瓷的压敏特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了4种复合氧化物(PbO-Bi2O3-2O3,MnO-Bi2o3,Na2O3-SiO2和LiNbO3)为扩散剂对半导化的SrTiO3基陶瓷显微结构,压敏和介电特性的影响,在实验基础上,提出了新的晶界势垒模型。 相似文献
3.
提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点,认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散,与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系,并用此理论解释了许多实验现象。 相似文献
4.
金属间化合物Ni3Al中的硼晶界偏聚特性的AES研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文应用俄歇能谱仪研究了不同化学计量比NiAl金属间化合物硼在晶界偏聚的特性。研究结果表明:硼在Ni3Al的各个晶界偏聚存在着不均匀性,硼在晶界的偏聚范围只有几个原子层,晶界结构及晶界化学环境是影响在晶界偏聚的决定因素。 相似文献
5.
陈华 《湖南理工学院学报:自然科学版》1996,(1)
本文研究了淬火工艺对低和中碳铬钢的显微组织,冲击韧性和断裂机制的影响,得出了无论是低碳,还是中、高碳钢,当奥氏体长大倾向稍大时,采取提高加热温度进行淬火的工艺均为不可取的结论。 相似文献
6.
利用光学显微镜对中碳钢退火孪晶的形态及形成机制进行了研究。退火孪晶是中碳钢过热组织的特征之一。其形态分穿晶型和中止型,分别按横向、纵向机制形核长大。退火孪晶有利于晶粒细化 相似文献
7.
非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。 相似文献
8.
用载荷松弛法对Fe-28Al-2Ti合金在较高温度下的变形行为进行了研究.测定了Fe-28Al-2Ti合金在高温变形时的载荷松弛曲线、应力减小因子Y及激活能值,并对试样进行了显微结构观察.结果表明,Fe-28Al-2Ti合金的高温变形是一个亚晶界吸收位错,而且不断向大角晶界转变的过程. 相似文献
9.
Ni2MnGa铁磁形状记忆材料 总被引:1,自引:0,他引:1
铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。 相似文献
10.
在93K低温下处理铬锆铜合金,发现α固溶体形成孪晶结构,并析出大量弥散的Cu3Zr和Cr2Zr细小颗粒。孪晶结构的形成依靠堆垛层错的滑移运动而形核和扩展。实践证明,电极合金结构的变化提高了其高温抗塑变能力,减少了粘焊现象,提高了电阻焊电极的焊接性能。 相似文献