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1.
2.
激光晶化多晶硅的制备与XRD谱 总被引:12,自引:0,他引:12
对氢化非晶硅(a-Si∶H)进行了脱氢和不同能量密
度的准分子激光晶化多晶硅的实验, 对所得样品用X射线衍射表征. 针对多晶硅(111)面特征峰的强度、 晶面间距和宽化信息, 分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响, 根据谢乐公式(Scherrer)估算了晶粒的大小, 得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数, 并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况. 相似文献
3.
介绍基于RC[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法,并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式.利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜,可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率,再利用POCl3进行高温掺杂[2],得到优化的电阻率,灵活改变各种参数,可使电阻的精度优于5%. 相似文献
4.
硅基薄膜太阳电池由于材料成本、转换效率等特点受到人们的关注,就非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和非微叠层太阳电池的研究现状做了简要的分析。 相似文献
5.
简论发展我国太阳电池及多晶硅产业 总被引:3,自引:1,他引:3
对国内外太阳能光伏发电产业的发展现状进行了评述,指出了我国光伏发展在政策、技术和应用方面存在的一些问题,并就我国太阳电池与多晶硅材料关键技术的发展提出了看法与建议。 相似文献
6.
Poly-Si TFT有源驱动OLED单元像素电路的参数设计 总被引:2,自引:0,他引:2
根据有机电致发光显示器件(OLED)的发光特性及多晶硅
薄膜晶体管 (Poly-Si TFT)的工作特性, 对Poly-Si TFT有源驱动OLED的源极跟随型双管
单元像素驱动电路进行了理论计算和模拟仿真, 确定了单元像素中的各种器件参数; 通过AI
M-Spice的模拟仿真了整个像素电路工作状态, 对器件参数进行了优化. 相似文献
7.
8.
一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型 总被引:1,自引:0,他引:1
针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上. 相似文献
9.
曾祥斌 《华中科技大学学报(自然科学版)》2006,34(7):85-87
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法. 相似文献
10.
一小片薄如塑料的柔性薄膜,可以让手机电池快速充电;来自于大自然的太阳能直接转化为直流电给实验大楼提供照明电源;实验操作平台如同智能机器人,自动记录太阳能电池板的运作情况,阴雨晴风、干湿状况一目了然,犹如气象站;每个矩阵太阳能电池板都像跟随太阳的向日葵,随着光线角度的不同主动调整以达到吸取最多太阳能,达到最高的转化效率,供给大楼照明。 相似文献