量子霍耳效应探讨

本文从线性响应理论的久保公式出发，用正则系综求统计平均的方法，导出了整数量子霍耳电导。从而解释了整数量子霍耳效应。     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.     

霍耳测量中的新效应

用霍耳效应法测量磁场，观察到了一种新效应，即当霍耳电极不恰好处在同一等位线上时，磁阻效应对不等位电压也有贡献，从而影响到磁场测量的准确度。提出了一种克服这一困难的新方法．     

评霍耳效应的物理模型

本文从理论上证明了传统的霍耳效应物理模型中霍耳电荷分布和电流线的分布是不正确的。     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析，讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响。指出在实验教学中，相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能有忽略相互干扰。     

3CCM硅磁敏三极管工作机理

本文首次指出3CCM硅磁敏三极管的磁敏效应是载流子双注入效应和霍耳效应的结合。反向偏置的收集结允许空穴和阻挡电子通过。积累在收集结附近的电子产生霍耳电场。霍耳电场和劳仑兹力对空穴产生同一方向的作用力,所以这种磁敏管的磁敏电流的线性度和灵敏度都比较高。     

论霍耳测量问题

利用合理的边界条件，通过解拉氏方程．导出了一个普适的霍耳电压公式．利用这个公式，不仅可以解释常规霍耳效应中电极对霍耳电压的强短路作用，而且还可以解释量子霍耳效应中电极对霍耳电压的零短路作用．     

量子化霍耳效应的发现、解释和应用

<正> 1 引言 国际物理学权威杂志《physical Review Letters》1980年8月发表了德国物理学家冯·克立青的一篇论文,文中报导了他在18特斯拉的强磁场和1.5开尔文低温极端条件下,对金属——氧化物——半导体场效应晶体管的输运特性进行的测量实验。实验结果表