量子阱中类氢杂质束缚能的压力效应

本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应，尤其在阱较窄的情形下，其压力效应更为显著．     

磁场和杂质对激子低能谱的效应

探讨了磁场B和杂质对二维激子低态能谱的效应.杂质被固定在z轴上且与激子所在的平面的距离为d.用直接对角化方法获得了激子低态能量E随B和d的演化.当d一定时,对于中性杂质(或者无杂质) 和带正电杂质,E随B的增加而增加.而对于带负电杂质,激子的角动量L等于0时,能量E曲线上升;L等于1、2、3时,能量E曲线先下降后上升.当B一定时,对于带电杂质,E先随d增加而急剧增加,后随d增加而几乎不变.     

钢中超低碳硫分析探讨

以日本HORIBA公司的EMIA-8200H碳硫仪为分析仪器，通过对燃烧条件、空白和试样污染、仪器稳定性和量值传递等相关因素的选择试验，建立了钢中超低碳硫分析方法。方法精密度和准确度符合ISO标准要求，检测下限为1ppm，10分钟内可发报告，完全满足炼钢生产需要。     

像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响

在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算结果表明：阱和垒中质量的不连续只对阱宽较窄的区域有影响，而像势则在整个区域都有影响．对于阱和垒中介电常数之比较大和阱宽较小的量子阱，考虑像势对阱中杂质结合能的修正是非常必要的     

金属薄膜中的电导率计算

考虑到杂质和表面粗糙的散射,运用量子统计的格林函数方法,计算金属薄膜中的电导率．计算表明：在薄膜系统中,来自杂质和表面粗糙散射的电导率都以π／ｋＦ（ｋＦ为费米波矢值）为周期随厚度ｄ振荡．     

氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型

在考虑B，P，As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上，讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响，提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型，由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好。     

毛发水解制取胱氨酸过程中杂质的来源及除去方法

本文阐述了以毛发为主要原料生产Ｌ－胱氨酸过程中杂质的来源，种类及除去方法，并提供了有关的反应条件。     

乳状液膜法分离稀土中的非稀土杂质

探讨了乳状液膜从稀土浸出液中提取稀土的可能性。考察了流动载体、料液类型、无机盐、表面活性剂种类，水乳比、ＮａＡｃ用量和膜回用对乳状液膜提取稀土工艺中浓缩和分离非稀土杂质的影响。结果表明，该工艺是可行的。稀土提取率达８５％￣９７％。富集液中稀土浓度达４０￣９０ｇ／Ｌ。稀土氧化物纯度大于９９％。比较了乳状液膜法和现行工业法所得稀土氧化物的分析结果。分析数据表明，乳状液膜法能显著地提高产品质量。     

混晶GaAs1—xPx：N中Nx带的发光瞬态过程研究

采用皮称量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ材料发光瞬态过程，结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带转变的带增强效应，对Ｎｘ发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明Ｎｘ带同时存在着快速的带内隧道转移和较慢的发光衰退过程。