New Develoopment of the Basic Theory of Extenics

In this paper,the new development of three basic theories of Extenics,incluing basic-element theory,extension set theory and extension logic theory ,has been introduced.And the new theoretical frame of Extenics has also been set forth.     

卓以和：获美科技界最高奖

日前，美国总统布什在白宫为过去两年间在科技领域取得突破性进展的科学家颁发美国国家科学奖章与国家技术奖章。美籍华裔著名材料科学家、美国朗讯科技公司贝尔实验室半导体研究室主任卓以和，因对分子束外延技术和高级电子光子设备发展所做的贡献而获奖。     

ASM2000机台机械手运行的影响因素分析

ASM2000半导体外延设备,作为世界上硅外延材料领域的主流设备,在硅片传递过程中,以“正面、非接触式”模式,可较好地避免硅片表面缺陷的产生。在这种传递模式下,偶有硅片掉落现象发生,故障产生原因较多,造成问题处理效率低下、复机验证流程繁琐等现象。为提高机械手装取片故障处理的效率及成功率,文章将从硅片传递的工作原理开始分析,总结导致硅片掉落的可能原因,以供故障排查所用。     

基于min型表现外延的反馈外延外包络

相对于max型表现外延,给出min型表现外延的定义,利用min型表现外延构造了概念关于因素的min型反馈外延.研究了min型反馈外延与概念外延以及复杂因素min型反馈外延与简单因素min型反馈外延之间的关系,得到了与min型反馈外延相关的一些重要性质.定义了min型反馈外延外包络,给出一种从概念外延"内部"对概念外延进行逼近的方法.     

因素空间理论与知识表示的数学框架（Ⅰ）──因素空间的公理化定义与描述架

系统地研究因素空间理论及其在知识表示中的应用。介绍因素空间理论的基本思想，修改了原有的因素空间的公理化定义，提出了表达概念的基本工具－－描述架，为建立知识表示的数学框架奠定了基础。     

硅基高频器件与SiGe外延技术

本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题，并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进，最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。     

英译汉中的词义探讨

英语词义的复杂性有着多方面、多层次的表现。要在英译汉过程中正确地理解词义,就必须借助于词典,通过认真分析上下文,并仔细揣摩用词者的感情、态度和意图等因素,达到对原文的准确把握,再以贴切、自然、功能对等的译语表达出来,从而得到好的译文。     

莱布尼茨的概念代数及其外延解释

根据传统的观点,莱布尼茨被视为数理逻辑的最伟大的前弗雷格先驱,但后人同时认为他的失败归之于他对三段论模式和主谓句法过于拘泥。这种近乎矛盾的说法无法解释莱布尼茨既是弗雷格的伟大先驱,同时又是传统三段论的集大成者的历史事实。莱布尼茨作为一位逻辑巨人的历史地位是建立在他对古老三段论的隐藏力量和范围继承及发展的基础上的,正是这种继承和发展决定了他比同时代的任何人都更加清晰地预见了新逻辑的诞生。莱布尼茨的概念代数就是这样一个承上启下的系统,但由于种种原因,这一承启作用只体现于逻辑史的重构中。     

垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况

氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛的应用前景.本文列出了氮化镓材料和其他半导体材料主要的物理参数、氮化镓单晶制备及其外延生长的主要方法,阐述了氮化镓功率器件在目前环境下的优势.针对器件结构,列出了横向器件本身存在的问题和垂直器件的优点,解释了垂直器件为何能够成为未来功率器件的主流结构.在此基础上,详细介绍了氮化镓电流孔径垂直晶体管、垂直氮化镓沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、基于原位氧化物氮化镓夹层的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管和垂直氮化镓鳍式场效应晶体管的结构、工作原理、研究进展及所存在的一些问题,并将文中所提及的垂直氮化镓功率晶体管的性能参数按器件种类和时间顺序进行归纳为未来氮化镓功率晶体管的发展提出了大致的方向.针对集成电路系统,归纳了氮化镓功率器件在驱动芯片方面的特殊要求和关键技术.最后,针对当下的市场环境,列举了垂直氮化镓功率晶体管在中、低压范围内比较热门且发展前景较好的应用场景.